[发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

蚀刻半导体基板以形成沟槽；

用导电材料填充所述沟槽；以及

将所述导电材料分隔开以形成位线触点区域和多个栅极图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

形成所述沟槽的步骤包括：

在所述半导体基板上沉积硬掩模层；

在所述硬掩模层上形成光阻图案；以及

使用所述光阻图案作为掩模来蚀刻所述硬掩模层和所述半导体基板。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述沟槽上沉积氧化物膜。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在用所述导电材料填充所述沟槽之后，通过平坦化来使所述半导体基板露出。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述栅极图案之后，蚀刻所述半导体基板以限定隔离区。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

蚀刻所述隔离区的深度大于所述栅极图案的深度。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述半导体基板的包括所述位线触点区域在内的整个表面上沉积氧化物膜和氮化物膜；

在所述氮化物膜上沉积绝缘膜；

蚀刻所述位线触点区域中的绝缘膜，并且在被蚀刻的位线触点区域中填充另一导电材料以形成位线触点；以及

在所述位线触点上形成位线，所述位线包括形成为堆叠结构的阻挡金属层、导电层和硬掩模氮化物膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

所述绝缘膜包括氧化物膜。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：

蚀刻所述绝缘膜；以及

形成由隔离区分隔开的存储节点触点。

10.一种半导体器件，包括：

填充在半导体基板中的多个栅极图案；以及

限定所述多个栅极图案的填充型位线触点。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：

在位线触点区域上形成的位线。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：

在形成所述栅极图案之后通过蚀刻所述半导体基板而形成的隔离区。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括：

存储节点触点，通过所述隔离区将所述存储节点触点彼此分隔开。