[发明专利]处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及在处理容器内例如向FPD(平板显示器)用的玻璃基板 等被处理体供给处理气体，利用该处理气体对上述被处理体进行规定处 理的技术。

背景技术

在LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)用的玻璃基板等的 制造工序中，具有对形成于玻璃基板上的铝(Al)膜实施蚀刻处理的 工序。根据图27简单地对进行该工序的蚀刻处理装置的一个例子进行 说明，图中的标号1为真空腔室，在该真空腔室1的内部设置有用于 载置作为被处理体的例如FPD基板S(以下，简称为基板S)的载置 台11，并且以与该载置台11相对的方式设置有作为上部电极的处理气 体供给部12。从处理气体供给部12向真空腔室1内供给例如由氯(Cl₂) 类气体构成的蚀刻气体，经由排气流路13通过图未示出的真空泵对真 空腔室1内进行抽真空，另一方面，通过从高频电源14向上述载置台 11施加高频电力，在基板S的上方的空间形成蚀刻气体的等离子体， 由此实施对基板S进行蚀刻的蚀刻处理。

然而，在Al膜的蚀刻中，因为供给速度控制(rate controlling)、 即蚀刻气体的供给量与蚀刻量成比例，所以因荷载效应(Loading Effect)基板S的周缘部的蚀刻速度非常快，产生蚀刻量过多的现象。 即，在图28中的标号15所示的基板S的周缘部，产生作为蚀刻剂的 Cl自由基，与由标号16表示的相同面积的中央部相比，蚀刻面积为大 约一半，因此，如果以与向中央区域16供给的流量相同的流量供给蚀 刻气体，则在周缘部15中，与中央区域16相比，蚀刻量为大约两倍。

因此，在现有技术中，采取下述对策，即，例如如图27以及图29 (a)所示，以包围基板S的周围的方式设置有高度为50mm～150mm 左右的整流部件17，由此，利用整流部件17遮挡基板S的周缘部附近 的蚀刻气体的流动，在基板S的周围形成气体滞留。因此，能够使该 区域中的蚀刻气体的流速降低，提高基板面内的蚀刻速度的均匀性。

此时，与从设置在真空腔室1的侧壁部上的搬入搬出口10至载置 台11的上方侧为止的基板S的搬送高度位置相比，在整流部件17的 上端一方较高的情况下，搬送过程中的基板S与整流部件17相干涉。 因此，例如如图29(b)所示，使整流部件17构成为能够自由升降， 在搬入时使整流部件17从载置台11上升的状态下，通过载置台11和 整流部件17之间的间隙搬入基板S，将基板S载置于载置台11上之后 使该整流部件17下降，另一方面，在搬出时使整流部件17从载置台 11上升之后通过上述间隙搬出基板S。

此处，整流部件17例如通过组合4个板材171而形成为框架组， 以该框架组包围基板S的方式载置在载置台11上。例如，在各板部件 171的侧面以向载置台11的外部伸出的方式设置有突出部172，各突 出部172的下面与升降用的支撑棒181连接。能够通过利用升降机构 18使这些支撑棒181升降来使整流部件17整体升降。

然而，在Al膜的利用氯类气体进行的蚀刻处理中，生成Al的氯 化物，该氯化物附着在整流部件17的内壁上。若附着的氯化物的堆积 量过多，则整流部件17在升降时等很容易将氯化物剥离，成为产生颗 粒的主要原因，因此必需频繁地进行用于除去堆积物的维护处理。

对于该维护处理作业，使真空腔室1内的氛围恢复到大气状态之 后，打该腔室1进行堆积物的除去作业，接着在关闭腔室1之后进行 所谓的抽真空的工序。然而，近年来随着基板S的大型化的发展，真 空腔室1也变得大型化，使真空腔室1内的氛围恢复到大气状态的工 序、进行抽真空的工序均需要相当长的时间。由此，导致维护作业整 体的作业时间变得非常长，所以频繁地进行维护作业成为阻碍生产效 率提高的主要原因之一。

为了解决该问题，本发明人开发出通过不使用上述升降型的整流 部件抑制颗粒的产生，并且还抑制荷载效应的产生的蚀刻处理装置。 其中，作为与整流部件有关的现有技术，在专利文献1中记载有下述 结构：设置有能够通过移载机构在下部电极上突出的可动型的环作为 整流部件，在专利文献2中记载有下述结构：以提供有气体流通口的 侧壁作为整流部件的结构，在专利文献3中记载有下述结构：通过沿 着基板的外周设置的多个侧壁部构成整流部件的例子，但是，在任何 一个文献中，都仅仅是不驱动整流部件将基板载置于载置台上的结构， 根据这些文献中记载的任何技术均不能够解决上述问题。