[发明专利]形成半导体器件的图案的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的图案的方法，该方法包括：

在底层上形成第一掩模膜和第二掩模膜；

使用光致抗蚀剂掩模图案作为蚀刻掩模，部分蚀刻该第一掩模膜和第二 掩模膜以在该第一掩模膜的剩余部分上形成中间掩模图案，该中间掩模图案 具有凸起形状且包含第一和第二掩模膜层；

在该中间掩模图案的侧壁形成第一间隙壁；

使用该第一间隙壁和该中间掩模图案的第二掩模膜层作为蚀刻掩模，蚀 刻该第一掩模膜的剩余部分和该中间掩模图案的第一掩模膜层，以露出该底 层并形成包含第一和第二掩模膜层的掩模图案；

在该掩模图案的侧壁形成第二间隙壁；以及

除去该掩模图案以形成对称间隙壁图案。

2.如权利要求1所述的方法，其中该第一掩模膜包含非晶碳层。

3.如权利要求1所述的方法，其中该第二掩模膜包含选自由氮氧化硅 膜、氧化硅膜及其组合组成的群组的材料。

4.如权利要求1所述的方法，其中部分蚀刻该第一和第二掩模膜是使 用选自由氧气、氮气、溴化氢及其组合组成的群组的蚀刻气体来进行。

5.如权利要求4所述的方法，其中在该蚀刻气体存在时，该第一掩模 膜和该第二掩模膜的蚀刻速度比率为5∶1至10∶1。

6.如权利要求1所述的方法，其中该中间掩模图案的第一掩模膜层的 高度为该第一掩模膜的初始厚度的10％至50％。

7.如权利要求1所述的方法，其中形成该第一间隙壁包括：

在该中间掩模图案以及该第一掩模膜的剩余部分上沉积第一绝缘膜；以 及

对该第一绝缘膜执行各向异性蚀刻工艺。

8.如权利要求7所述的方法，其中该第一绝缘膜包含多晶硅层和氮化 物膜。

9.如权利要求7所述的方法，其中该第一绝缘膜沉积至该中间掩模图 案的第一掩模膜层的高度的5％至50％的厚度

10.如权利要求7所述的方法，其中该各向异性蚀刻工艺使用氢氟碳化 合物气体来进行。

11.如权利要求10所述的方法，其中在该氢氟碳化合物气体存在时， 该第一掩模膜和该第二掩模膜及该第一绝缘膜的蚀刻速度比率为5∶1至 10∶1。

12.如权利要求1所述的方法，其中蚀刻该第一掩模膜的剩余部分和该 中间掩模图案的第一掩模膜层是通过各向同性蚀刻工艺来进行。

13.如权利要求12所述的方法，其中该各向同性蚀刻工艺使用选自由 氧气、氮气、溴化氢及其组合组成的群组的蚀刻气体来进行。

14.如权利要求12所述的方法，其中在该各向同性蚀刻工艺之后的该 掩模图案的第一掩模膜层的临界尺寸为在该各向同性蚀刻工艺之前的该中 间掩模图案的第一掩模膜层的临界尺寸的20％至50％。

15.如权利要求12所述的方法，其中形成该第二间隙壁包括：

在该掩模图案上沉积第二绝缘膜；以及

对该第二绝缘膜执行干法各向异性蚀刻工艺以露出该底层。

16.如权利要求15所述的方法，其中该第二绝缘膜包含多晶硅层和氮 化物膜。

17.如权利要求15所述的方法，其中在该各向同性蚀刻工艺之后，该 第二绝缘膜沉积至该掩模图案的第一掩模膜层的高度的5％至50％的厚度。

18.如权利要求15所述的方法，其中该各向异性蚀刻工艺使用氢氟碳 化合物气体来进行。