[发明专利]光电混载基板的制造方法及由该方法得到的光电混载基板无效
申请号: | 200910001187.6 | 申请日: | 2009-01-23 |
公开(公告)号: | CN101493548A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 疋田贵巳;宗和范;内藤俊树;大薮恭也 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | G02B6/13 | 分类号: | G02B6/13;H05K3/10;G02B6/12;H05K1/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;陈立航 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 混载基板 制造 方法 得到 | ||
1.一种光电混载基板的制造方法,其特征在于,具备以下 工序:
芯体形成工序,在由绝缘性材料构成的下部包层上以规定 图案突出形成由绝缘性材料构成的多个芯体;
金属薄膜形成工序,沿着该突出形成的芯体的表面和除了 该芯体的形成部分以外的下部包层的表面部分,形成金属薄膜;
填孔电镀工序,对该金属薄膜实施填孔电镀,由此用通过 填孔电镀而形成的镀层对由上述金属薄膜覆盖的芯体与相邻于 该芯体的芯体之间的槽部进行填埋;
电布线形成工序,除去在上述突出形成的芯体的顶面上形 成的上述金属薄膜和上述镀层,将残留在上述槽部内的镀层作 为电布线;以及
上部包层形成工序,以覆盖上述芯体和上述电布线的状态 形成由绝缘性材料构成的上部包层。
2.根据权利要求1所述的光电混载基板的制造方法,其特 征在于,
在金属制基台上形成下部包层。
3.根据权利要求2所述的光电混载基板的制造方法,其特 征在于,
金属制基台为不锈钢制基台。
4.一种光电混载基板,是利用上述权利要求1所述的光电 混载基板的制造方法而得到的光电混载基板,其特征在于,具 备:
由绝缘性材料构成的多个芯体,其在由绝缘性材料构成的 下部包层上以规定图案突出形成;
金属薄膜,其沿着该突出形成的芯体的侧面和除了该芯体 的形成部分以外的下部包层的表面部分而形成;
电布线,其由填孔电镀层构成,该填孔电镀层被填埋在形 成有该金属薄膜的芯体与相邻于该芯体的芯体之间的槽部中; 以及
由绝缘性材料构成的上部包层,其以覆盖上述芯体和上述 电布线的状态而形成。
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