[发明专利]有机EL装置的制造方法、有机EL装置、电子仪器有效
申请号: | 200910001334.X | 申请日: | 2004-10-15 |
公开(公告)号: | CN101452949A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 小林英和 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L21/82;H01L51/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 装置 制造 方法 电子仪器 | ||
1.一种有机EL装置,具有多个像素,特征在于,
所述多个像素的每一个包括:
设置在基板上的阳极;
设置在设置有所述阳极的基板上且在与所述阳极对应的位置上具有第1开口部的围堰层;
设置在所述第1开口部的发光功能层;
设置在所述围堰层和所述发光功能层之上的阴极;以及
在所述发光功能层的靠近所述基板的一侧、或在所述发光功能层的与靠近所述基板的一侧相反的一侧与所述发光功能层对应而设置为岛状的滤色片,
形成所述滤色片的区域被形成为比所述第1开口部宽。
2.根据权利要求1所述的有机EL装置,其特征在于,还包括具有第2开口部的滤色片用围堰层,
所述滤色片被设置在所述第2开口部内,
所述第2开口部被形成为比所述第1开口部宽。
3.根据权利要求2所述的有机EL装置,其特征在于,在俯视时,所述第1开口部被配置在所述第2开口部的内侧。
4.根据权利要求1~3的任何一项所述的有机EL装置,其特征在于,所述滤色片被设置在所述基板和所述阳极之间。
5.根据权利要求4所述的有机EL装置,其特征在于,在所述滤色片和所述阳极之间形成了无机绝缘膜。
6.根据权利要求5所述的有机EL装置,其特征在于,还包括:
设置在所述基板和所述无机绝缘膜之间的电路元件部;和
设置在所述滤色片和所述电路元件部之间的层间绝缘膜,
对于滤色片用围堰层,在与所述电路元件部对应的位置上设置了第3开口部,
在所述第3开口部内,经由设置在所述层间绝缘膜和所述无机绝缘膜的第4开口部,所述阳极和所述电路元件部被连接。
7.根据权利要求1~3的任何一项所述的有机EL装置,其特征在于,还具有设置在所述阴极上的保护膜,
所述滤色片被设置在所述保护膜之上。
8.根据权利要求7所述的有机EL装置,其特征在于,所述保护膜具有无机氧化物层和有机层。
9.根据权利要求1~3的任一项所述的有机EL装置,其特征在于,还具有对向基板,
所述滤色片被设置在所述对向基板上,
所述基板和所述对向基板经由粘接层被贴合而构成。
10.一种有机EL装置的制造方法,是具有多个像素的有机EL装置的制造方法,特征在于,包括:
形成具有与所述多个像素的每一个对应的第1开口部的滤色片用围堰层的工序;
在所述第1开口部内形成滤色片的工序;
与所述多个像素的每一个对应而将阳极形成在所述滤色片之上的工序;
在与所述阳极对应的位置上形成具有比所述第1开口部宽的第2开口部的围堰层的工序;
在所述第2开口部内形成发光功能层的工序;以及
在所述发光功能层上形成阴极的工序。
11.一种有机EL装置的制造方法,是具有多个像素、并在所述多个像素的每一个上具有电路元件部的有机EL装置的制造方法,特征在于,包括:
在所述电路元件部之上形成层间绝缘膜的工序;
形成具有与所述多个像素的每一个对应的第1开口部和设置在与所述电路元件部对应的位置上的第2开口部的滤色片围堰层的工序;
在所述第1开口部内形成滤色片的工序;
形成无机绝缘膜使得覆盖所述滤色片围堰层及所述滤色片的表面、和所述第2开口部的内面的工序;
在与所述第2开口部对应的位置,蚀刻所述无机绝缘膜和所述层间绝缘膜,形成通到所述电路元件部的第3开口部的工序;
与所述多个像素的每一个对应而将阳极形成在所述第3开口部和所述无机绝缘膜之上的工序;
在与所述阳极对应的位置上形成具有比所述第1开口部宽的第4开口部的围堰层的工序;
在所述第4开口部内形成发光功能层的工序;以及
在所述发光功能层上形成阴极的工序。
12.一种电子仪器,其特征在于,包括权利要求1~9的任何一项所述的有机EL装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的