[发明专利]台型半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910001345.8 | 申请日： | 2009-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101499421A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 铃木彰;关克行;小田岛庆汰 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 日本国大阪府守*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种台型半导体装置的制造方法，包含有：
准备第一导电型的半导体基板，并于前述半导体基板的表面形成比前 述半导体基板的浓度还低的第一导电型的第一半导体层的步骤；
于前述第一半导体层的表面形成第二导电型的第二半导体层的步骤；
第一蚀刻步骤，是形成台沟，该台沟是从前述第二半导体层的表面到 达前述半导体基板中，且随着从前述第二半导体层的表面越接近前述半导 体基板其宽度越大；以及
第二蚀刻步骤，是去除因前述第一蚀刻步骤所产生的前述台沟的内壁 的损伤层，且是以前述台沟的宽度随着从前述第一半导体层与前述第二半 导体层的接触而形成的PN接合部的上方越接近第二半导体层的表面其宽 度越大的方式来进行；
前述第一蚀刻步骤是使用50mTorr的压力下的干蚀刻来进行。
2.如权利要求1所述的台型半导体装置的制造方法，其中，前述第一 蚀刻步骤包含有交互地重复进行等向性干蚀刻的第一步骤、以及于前述第 一步骤所形成的沟的侧壁形成保护膜的第二步骤的步骤，
而于每次重复前述第一步骤与第二步骤时，增长前述第一步骤的等向 性干蚀刻时间。
3.如权利要求1所述的台型半导体装置的制造方法，其中，前述第一 蚀刻步骤是使用50mTorr的压力下的等向性干蚀刻来进行。
4.如权利要求1所述的台型半导体装置的制造方法，其中，前述第一 蚀刻步骤是使用15mTorr至50mTorr的压力下的非等向性干蚀刻来进行。
5.如权利要求1、2、3、4中任一项所述的台型半导体装置的制造方 法，其中，前述第二蚀刻步骤是使用湿蚀刻来进行。
6.如权利要求1、2、3、4中任一项所述的台型半导体装置的制造方 法，其中，具备有形成覆盖前述台沟内壁的保护膜的步骤。
7.一种台型半导体装置，具备有：
第一导电型的半导体基板；
第一导电型的第一半导体层，接合在前述半导体基板的表面，并比前 述半导体基板的浓度还低；以及
第二导电型的第二半导体层，接合在前述第一半导体层的表面，且与 前述第一半导体层一起形成PN接合部；
其中，位于前述PN接合部上方的第二半导体层的端部具有顺锥面形 状，从前述PN接合部附近起，前述第一半导体层的端部、及前述半导体 基板的端部与前述第一半导体层的接合部附近具有逆锥面形状。
8.如权利要求7所述的台型半导体装置，其中，形成覆盖前述第一及 第二半导体层的端部的保护膜。
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