[发明专利]半导体激光装置

权利要求书

1.一种半导体激光装置，具备：在半导体基板上相互隔着分离槽而 形成，具有第一脊条部的第一半导体激光器构造和具有与所述第一脊条部 平行设置的第二脊条部的第二半导体激光器构造，

所述第一半导体激光器构造具有在所述半导体基板上依次形成的第 一金属包层、第一活性层、第二金属包层及第一电流阻碍层，

所述第二半导体激光器构造在所述半导体基板上具有隔着所述分离 槽依次形成的第三金属包层、第二活性层、第四金属包层及第二电流阻碍 层，

在所述第二金属包层中的所述第一脊条部的与所述第二半导体激光 器构造相反侧的侧面上及侧方的区域上形成有第一应变缓和层，

在所述第四金属包层中的所述第二脊条部的与所述第一半导体激光 器构造相反侧的侧面上及侧方的区域上形成有第二应变缓和层，

当设所述第二金属包层及第四金属包层的热膨胀系数为Tc、所述第一 电流阻碍层及第二电流阻碍层的热膨胀系数为Tb、所述第一应变缓和层 及第二应变缓和层的热膨胀系数为Ts时，满足Tb＜Tc＜Ts的关系。

2.一种半导体激光装置，具备：在半导体基板上相互隔着分离槽而 形成，具有第一脊条部的第一半导体激光器构造和具有与所述第一脊条部 平行设置的第二脊条部的第二半导体激光器构造，

所述第一半导体激光器构造具有在所述半导体基板上依次形成的第 一金属包层、第一活性层、第二金属包层及第一电流阻碍层，

所述第二半导体激光器构造在所述半导体基板上具有隔着所述分离 槽依次形成的第三金属包层、第二活性层、第四金属包层及第二电流阻碍 层，

在所述第二金属包层中的所述第一脊条部的与所述第二半导体激光 器构造对置侧的侧面上及侧方的区域上形成有第一应变缓和层，

在所述第四金属包层中的所述第二脊条部的与所述第一半导体激光 器构造对置侧的侧面上及侧方的区域上形成有第二应变缓和层，

当设所述第二金属包层及第四金属包层的热膨胀系数为Tc、所述第一 电流阻碍层及第二电流阻碍层的热膨胀系数为Tb、所述第一应变缓和层 及第二应变缓和层的热膨胀系数为Ts时，满足Ts＜Tc＜Tb的关系。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于，

所述第一脊条部及第二脊条部相对所述半导体基板中的与所述各脊 条部延伸的方向垂直的宽度方向的中心线对称形成。

4.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于，

所述第一电流阻碍层、第二电流阻碍层、第一应变缓和层及第二应变 缓和层由以氮化硅、氧化锆、氧化铝、氧化硅或氢化无定形硅为主要成分 的材料构成。

5.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于，

当设所述第一电流阻碍层及第二电流阻碍层的膜厚为d1、所述第一应 变缓和层及第二应变缓和层的膜厚为d2时，

100nm≤d1≤450nm且10nm≤d2≤300nm。

6.一种半导体激光装置，具备：在半导体基板上相互隔着分离槽而 形成，具有第一脊条部的第一半导体激光器构造和具有与所述第一脊条部 平行设置的第二脊条部的第二半导体激光器构造，

所述第一半导体激光器构造具有在所述半导体基板上依次形成的第 一金属包层、第一活性层、第二金属包层及第一电流阻碍层，

所述第二半导体激光器构造在所述半导体基板上具有隔着所述分离 槽依次形成的第三金属包层、第二活性层、第四金属包层及第二电流阻碍 层，

在所述第二金属包层中的所述第一脊条部两侧面上及两侧方的区域 上形成有应变缓和层，

当设所述第二金属包层的热膨胀系数为Tc、所述第一电流阻碍层的热 膨胀系数为Tb、所述应变缓和层的热膨胀系数为Ts时，满足Tb＜Tc＜Ts 的关系。

7.根据权利要求1、2及6中任意一项所述的半导体激光装置，其特 征在于，

所述分离槽中的该分离槽延伸的方向的中心线形成为，与所述半导体 基板中的和所述各脊条部延伸的方向垂直的宽度方向的中心线一致。