[发明专利]半导体激光装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体激光装置，尤其涉及可以在光盘装置、电子装置或 信息处理装置等的光源中使用、在一个基板上具备多个发光点的半导体激 光装置。

背景技术

目前，能够实现高密度记录的大容量数字多用途盘(DVD)及其再生 用的DVD装置已被商品化，作为今后需要进一步发展的商品而备受瞩目。 由于DVD是高密度记录，所以，作为其记录再生用的激光光源可以使用 发光波长为650nm的AlGaInP系半导体激光装置。并且，通过使发光波长 短波长化，而大幅提高了记录密度的、发光波长为405nm的GaN系半导 体激光装置也备受瞩目。这些可见光频带的半导体激光装置的长寿命化及 高输出化受到限制的主要原因之一是因在半导体激光装置的活性层中蓄 积的应变(strain)引起的劣化。对于该应变引起的劣化而言，因构成半导 体激光装置的各半导体层的材料及组成的差异而产生内部应力，基于该内 部应力在活性层中发生结晶缺陷，导致偏光特性劣化且可靠性降低。为了 防止该情况，作为第一现有例，例如专利文献1中提出了在p型金属包层 的整个表面层叠两层绝缘膜，来缓和对该p型金属包层作用的热应力，从 而可抑制半导体激光装置的劣化的方法。

另外，作为第二现有例，例如专利文献2中提出了下述方案：在一个 基板上集成了红色激光元件和红外激光元件的半导体激光装置中，为了降 低对发光点施加的应力，根据用途从芯片宽度的中心线起以该芯片宽度为 基准单位，将具有规定发光波长的生成光的发光点位置配置在15％以内的 范围，通过设置这样的制约从而可以维持红色激光元件部或红外激光元件 部的偏光特性。其中，发光点是指构成半导体激光器构造的活性层(发光 层)中的脊条(ridge stripe)的下侧部分、即发光光的实质出射区域。

【专利文献1】特开2006-012899号公报

【专利文献2】特开2006-313875号公报

但是，在以上述的缓和热应力为目的，在p型金属包层的整个表面设 置两层绝缘膜的第一现有例的情况下，虽然激光装置单体(设备单体)的 应力被缓和，但如果在作为散热器而发挥功能的子基座(sub mount)上安 装具有多个发光点、且集成于一个基板上的激光装置，则基于子基座与激 光装置的热膨胀系数的差异，该激光装置会弯曲，导致对各发光点施加的 应力按发光点而不同、且该应力的非对称性大，因此，难以兼顾可靠性及 偏光特性双方，存在着激光装置的成品率恶化。

另外，在根据用途将生成光的发光点位置相对芯片宽度从中心线开始 配置在15％以内的范围的第二现有例的情况下，由于利用了芯片宽度的中 心附近的应力小，所以可以只维持特定发光点的偏光特性，但如果像双波 长半导体激光装置那样具有发光点之间的间隔为110μm的制约，则虽然 一方的发光点可以配置在15％以内，但另一方的发光点成为15％以上的 配置，因此，存在着不得不牺牲偏光特性的问题。

发明内容

本发明为了解决上述现有问题而提出，其目的在于，抑制活性层发生 结晶缺陷，并改善对发光点施加的应力的非对称性，从而可防止可靠性降 低且提高偏光特性。

为了实现上述目的，本发明在对半导体激光装置进行安装，例如将形 成有各脊条的激光构造侧安装到子基座、即所谓p侧朝下安装的情况下， 当安装面相对子基座弯曲为凸状时，仅在各脊条部的侧方的外侧部分形成 热膨胀系数大于电流阻碍层的应变缓和层，相反，当安装面相对子基座弯 曲为凹状时，仅在各脊条部的侧方的内侧部分设置热膨胀系数小于电流阻 碍层的应变缓和层。另外，在两个脊条部中的一方远离激光芯片的宽度方 向的中心线而形成的情况下，仅在从该中心线远离的脊条的两侧方设置应 变缓和层。