[发明专利]发光半导体装置

权利要求书

1.一种发光半导体装置，包括：

发光结构，至少具有第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层，且 该发光层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；

反射结构，至少具有第一透明导电层、第一图案化反射层、第二透明导 电层以及第二图案化反射层，其中该第一图案化反射层位于该第一透明导电 层与该第二透明导电层之间，且该第一图案化反射层具有至少一开口以使该 第一透明导电层与该第二透明导电层实体上连接，该第二透明导电层位于该 第一图案化反射层与该第二图案化反射层之间，且该第二图案化反射层位于 相应于该开口的区域上；以及

载体，其中该发光结构与该载体分别位于该反射结构的两侧。

2.如权利要求1所述的发光半导体装置，其中该第一图案化反射层包括 金属层与至少一绝缘层，其中该绝缘层至少位于该金属层与该第一透明导电 层之间或该金属层与该第二透明导电层之间。

3.如权利要求1所述的发光半导体装置，其中该第二图案化反射层包括 金属层与至少一绝缘层，其中该绝缘层至少位于该金属层与该第二透明导电 层之间或该金属层与该载体之间。

4.如权利要求1所述的发光半导体装置，其中该第一图案化反射层与该 第二图案化反射层中至少其一包含分布式布拉格反射器。

5.如权利要求1所述的发光半导体装置，其中该第一图案化反射层与该 第二图案化反射层中至少其一的图案包含圆形、椭圆形、多边形、或以上选 项的任意组合。

6.如权利要求1所述的发光半导体装置，其中该第一型半导体层与该第 二型半导体层中至少其一的材质至少包括氮、镓、铟、铝、磷、砷、及锌其 中一种元素。

7.如权利要求1所述的发光半导体装置，其中该发光层包含多重量子阱 结构、单异质结构、双异质结构、或上述结构的组合。

8.如权利要求1所述的发光半导体装置，其中该发光层包含多重量子阱 结构、单异质结构、双侧双异质结构、或上述结构的组合。

9.如权利要求1所述的发光半导体装置，还包括光波长转换层，位于该 发光结构之上。

10.如权利要求1所述的发光半导体装置，还包括结合层，配置于该发光 结构与该载体之间，用以结合该反射结构与该载体。

11.如权利要求1所述的发光半导体装置，其中在该发光结构的至少一出 光面上具有结构化图案。

12.如权利要求11所述的发光半导体装置，其中该些结构化图案包含规 则图案、不规则图案、及光子晶体结构中至少其一。

13.如权利要求1所述的发光半导体装置，其中该载体包含金属材质或非 金属材质。

14.如权利要求1所述的发光半导体装置，其中该载体包含硅。

15.如权利要求1所述的发光半导体装置，其中该载体包含电镀铜。

16.如权利要求1所述的发光半导体装置，其中该第一透明导电层与该第 二透明导电层至少其一的材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、 氧化铪、氧化锌、氧化铝、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉锡氧化物、镉锌氧 化物、或其任意可能组合。

17.如权利要求1所述的发光半导体装置，还包括电流分散层，位于该发 光结构的上方。

18.如权利要求1所述的发光半导体装置，还包括电极，该电极位于该发 光结构的上方。