[发明专利]发光半导体装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种发光装置，且特别是有关于一种发光半导体装置。

背景技术

图1为一种习知发光二极管的结构示意图。请参考图1，发光二极管100 包括一n型半导体层110、一发光层120、一p型半导体层130、多个反射层 140以及多个电极150。发光层120位于n型半导体层110的部分区域上， 且p型半导体层130位于发光层120之上。n型半导体层110可以是多层的 n型半导体材料结构，而p型半导体层130亦可以是多层的p型半导体材料 结构。反射层140位于n型半导体层110内，如图1所示。另外，电极150 分别配置于n型半导体层110与p型半导体层130的表面110a及130a上以 分别电性连接n型半导体层110与p型半导体层130。

习知发光二极管100属于一种水平式发光二极管的叠层结构，且发光二 极管100的n型半导体层110内配置有多个反射层140。因此，当发光二极 管100被驱动时而发光时，位于n型半导体层110内的反射层140便适于反 射内部所产生的光线，藉以提高发光二极管100的发光效率。

发明内容

本发明提出一种发光半导体装置，其包括一发光结构、一反射结构以及 一载体。发光结构至少具有一第一型半导体层、一发光层以及一第二型半导 体层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。反射结构具有一 第一透明导电层、一第一图案化反射层、一第二透明导电层以及一第二图案 化反射层。第一图案化反射层位于第一透明导电层与第二透明导电层之间。 第一图案化反射层具有至少一开口以使第一透明导电层与第二透明导电层 实体上连接。第二透明导电层位于第一图案化反射层与第二图案化反射层之 间。第二图案化反射层位于大体上相应于开口的区域上。发光结构与载体分 别位于反射结构的两侧。

在本发明的一实施例中，第一图案化反射层包括一金属层与至少一绝缘 层。绝缘层至少位于金属层与第一透明导电层之间或金属层与第二透明导电 层之间。

在本发明的一实施例中，第二图案化反射层包括一金属层与至少一绝缘 层。绝缘层位于金属层与第二透明导电层之间或金属层与载体之间。

在本发明的一实施例中，第一图案化反射层与第二图案化反射层中至少 其一包括一分布式布拉格反射器(distributed Bragg reflector；DBR)。

在本发明的一实施例中，第一图案化反射层与第二图案化反射层中至少 其一的图案包含圆形、椭圆形或多边形、或以上选项的任意组合。

在本发明的一实施例中，第一型半导体层与第二型半导体层中至少其一 的材质至少包括氮(N)、镓(Ga)、铟(In)、铝(A1)、磷(P)、砷(As)、及锌(Zn) 其中一种元素。

在本发明的一实施例中，发光层包含一多重量子阱发光层(multi-quantum well；MQW)、一单异质结构(single heterostructure；SH)、一双异质结构(double heterostructure；DH)、一双侧双异质结构(double-side double heterostructure； DDH)、或上述结构的组合。

在本发明的一实施例中，发光半导体装置还包括一光波长转换层。光波 长转换层位于发光结构之上。

在本发明的一实施例中，发光半导体装置还包括一结合层。结合层配置 于发光结构与载体之间，用以结合反射结构与载体。

在本发明的一实施例中，在发光结构的至少一出光面上具有多个结构化 图案。

在本发明的一实施例中，结构化图案包含规则图案、不规则图案、及光 子晶体结构中至少其一。

在本发明的一实施例中，载体包含金属材质、非金属材质、硅或电镀铜。

在本发明的一实施例中，第一透明导电层与第二透明导电层至少其一的 材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化铪、氧化锌、氧化 铝、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉锡氧化物或镉锌氧化物、或其任意可能组 合。

在本发明的一实施例中，发光半导体装置还包括一电流分散层。电流分 散层位于发光结构的上方。

在本发明的一实施例中，发光半导体装置还包括一电极。电极配置于发 光结构的上方。