[发明专利]具有低导通电阻的高电压功率MOSFET

权利要求书

1.一种高电压MOSFET，其包括：

第一导电类型的衬底；

在所述衬底上淀积的外延层，所述外延层具有第一导电类型；

在外延层中形成的第一和第二体区，漂移区在所述第一和第二体 区之间延伸并且在所述体区下面延伸到所述衬底，所述体区具有第二 导电类型；

分别在所述第一和第二体区中形成的第一导电类型的第一和第二 源区；

在所述体区下面形成的第一和第二沟槽，所述第一和第二沟槽分 别从第一和第二体区朝着衬底延伸；

在所述沟槽的表面上形成的二氧化硅层；

在所述沟槽中的二氧化硅上淀积的掺有第二导电类型的掺杂剂的 多晶硅，所述多晶硅填充所述沟槽；

至少部分所述的掺杂剂从所述沟槽扩散到邻近沟槽的部分外延层 中；以及

通过再结晶至少部分所述的多晶硅形成的单晶硅。

2.根据权利要求1所述的高电压MOSFET，其中再结晶所述多晶 硅包括退火所述多晶硅，所述外延层具有在溶解温度时低于其固溶度 的氧浓度，并且所述二氧化硅溶入所述外延层中。