[发明专利]BGA集成电阻器及其制造方法和设备有效
申请号: | 200910001995.2 | 申请日: | 2009-01-21 |
公开(公告)号: | CN101783342A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 黄创君;刘永波;王宏全 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;H01C13/00;H01L21/71;H01C17/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | bga 集成 电阻器 及其 制造 方法 设备 | ||
1.一种BGA集成电阻器,其特征在于,包括:基板,焊盘,电阻膜,导 带和保护膜;所述基板上设有两个以上的焊盘;所述基板上设有至少一块电 阻膜,一电阻膜连接两个导带,电阻膜的边缘压覆在导带的边缘之上;所述 两个导带各自与一焊盘相连;所述电阻膜和所述导带上覆盖有保护膜;所述 焊盘从邻近所述基板至远离所述基板方向依次包括铜镀层、镍镀层和锡铅镀 层;或,所述焊盘为单层,其材质为铜。
2.根据权利要求1所述的BGA集成电阻器,其特征在于:所述电阻膜与 所述焊盘设在所述基板的同一表面上;所述焊盘和所述电阻膜的边缘分别压 覆在所述导带的边缘之上。
3.根据权利要求2所述的BGA集成电阻器,其特征在于:所述保护膜包 括第一保护膜和第二保护膜,所述第一保护膜覆盖在所述电阻膜和所述导带 上,所述第二保护膜覆盖在所述第一保护膜上。
4.根据权利要求1所述的BGA集成电阻器,其特征在于:所述电阻膜与 所述焊盘分设在所述基板的不同表面上;所述基板上设有过孔,所述导带穿 过所述过孔连接所述焊盘和所述电阻膜;所述焊盘覆盖在所述过孔的孔口上, 所述导带连接在所述焊盘的底面上。
5.根据权利要求4所述的BGA集成电阻器,其特征在于:所述保护膜包 括第一保护膜和第二保护膜,所述第一保护膜覆盖在所述电阻膜上,所述第 二保护膜覆盖在所述第一保护膜和所述导带上。
6.根据权利要求3或5所述的BGA集成电阻器,其特征在于:所述第一 保护膜的材质为玻璃,或者所述第二保护膜的材质为高分子树脂。
7.根据权利要求1~5任一所述的BGA集成电阻器,其特征在于:所述 导带的材质为银钯合金;所述银钯合金中钯的质量百分比为0~20%。
8.根据权利要求1~5任一所述的BGA集成电阻器,其特征在于:所述 导带的材质为铜;在所述导带与所述基板之间还设有钛钯合金层。
9.根据权利要求1~5任一所述的BGA集成电阻器,其特征在于:各所 述电阻膜在所述基板上呈矩阵形式排列,所述矩阵的列数为3~16,所述矩阵 的行数为2~16;各所述焊盘在所述基板上呈矩阵形式排列,且各所述焊盘上 植入的焊球之间的间距为0.5~1.27毫米,所述焊球的直径为0.35~0.8毫 米。
10.一种BGA集成电阻器的制造方法,其特征在于,包括:
在基板的表面上形成预定图案的导带;
在形成导带后的基板上形成至少一块电阻膜,分散形成焊盘,所述导带 连接所述电阻膜和所述焊盘,电阻膜的边缘压覆在导带的边缘之上,其中, 所述焊盘从邻近所述基板至远离所述基板方向依次包括铜镀层、镍镀层和锡 铅镀层;或,所述焊盘为单层,其材质为铜;
在所述电阻膜和导带上覆盖保护膜。
11.根据权利要求10所述的BGA集成电阻器的制造方法,其特征在于, 所述形成至少一块电阻膜,且分散形成焊盘包括:
在所述基板形成所述导带的表面上,分别形成至少一块电阻膜和两个以 上的焊盘,电阻膜和焊盘的边缘分别压覆在所述导带的边缘之上;或
在所述基板形成所述导带的表面上形成至少一块电阻膜,在所述基板的 另一表面上形成两个以上的焊盘,电阻膜压覆在所述导带的边缘之上,焊盘 覆盖在基板上的过孔的孔口上,所述导带穿过所述过孔连接在焊盘的底面上。
12.一种采用权利要求1~9任一所述的BGA集成电阻器的通信设备, 其特征在于:所述通信设备包括电路板,所述BGA集成电阻器集成在所述电 路板上。
13.一种采用权利要求1~9任一所述的BGA集成电阻器的汽车电子设 备,其特征在于:所述汽车电子设备包括电路板,所述BGA集成电阻器集成 在所述电路板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的