[发明专利]BGA集成电阻器及其制造方法和设备

说明书

技术领域

本发明实施例涉及集成电阻器封装技术，尤其涉及一种球栅阵列(BallGrid Array；以下简称：BGA)封装技术封装的BGA集成电阻器及其制造方法，以及采用该BGA集成电阻器的通讯设备、汽车电子设备。 

背景技术

表贴式集成电阻器，又称贴片排阻(Chip Resistor Array)，被广泛应用在电子电路中，图1为现有技术中一种普通表贴式集成电阻器的一路电阻剖面结构示意图。该集成电阻器主要包括基板12，在基板12上形成有电阻膜3，电阻膜3上覆盖有第一保护膜1和第二保护膜2。基板12两侧形成有端电极30，通常端电极30可以包括三层结构，即从里至外依次为银浆层、镍(Ni)层和锡/锡铅(Sn/SnPb)层。在电阻膜3的两侧分别形成有导带4，用于连接电阻膜3和端电极30。在基板12的下侧相应的形成有背电极42，其作为表贴封装时所需的焊点。为了保持集成电阻器的阻值精度，导带4需要采用电阻率较低的材料，考虑成本的限制，现有技术通常采用银材料来制成导带4。 

但是，在实现本发明的研究过程中，发明人发现现有技术至少存在如下问题：普通表贴式集成电阻器的银质导带4局部会暴露在空气中，在含硫，例如含有硫化氢(H₂S)的环境气氛中银质导带4易发生硫化腐蚀而形成硫化银晶体，图2为现有技术中普通表贴式集成电阻器硫化腐蚀的结构示意图，虚线圈处为集成电阻器易于被硫化腐蚀的位置。导带4的腐蚀导致集成电阻器的阻值增大或开路失效，缩短了产品的市场寿命。随着大气环境的逐年恶 化，这种集成电阻器在环境较恶劣地区约1年或1年半的时间就会发生硫化腐蚀而失效，这显著增加了集成电阻器的维修和更换的成本。 

发明内容

本发明实施例提供一种BGA集成电阻器及其制造方法和设备，以避免集成电阻器硫化腐蚀失效，延长集成电阻器的使用寿命。 

本发明实施例提供了一种BGA集成电阻器，包括：基板，焊盘，电阻膜，导带和保护膜；所述基板上设有两个以上的焊盘；所述基板上设有至少一块电阻膜，一电阻膜连接两个导带，电阻膜的边缘压覆在导带的边缘之上；所述两个导带各自与一焊盘相连；所述电阻膜和所述导带上覆盖有保护膜；所述焊盘从邻近所述基板至远离所述基板方向依次包括铜镀层、镍镀层和锡铅镀层；或，所述焊盘为单层，其材质为铜。 

本发明实施例还提供了一种BGA集成电阻器的制造方法，包括： 

在基板的表面上形成预定图案的导带； 

在形成导带后的基板上形成至少一块电阻膜，分散形成焊盘，所述导带连接所述电阻膜和所述焊盘，电阻膜的边缘压覆在导带的边缘之上，其中，所述焊盘从邻近所述基板至远离所述基板方向依次包括铜镀层、镍镀层和锡铅镀层；或，所述焊盘为单层，其材质为铜； 

在所述电阻膜和导带上覆盖保护膜。 

本发明实施例还提供了一种采用本发明各实施例BGA集成电阻器的通信设备，其中：所述通信设备包括电路板，所述BGA集成电阻器集成在所述电路板上。 

本发明实施例还提供了一种采用本发明各实施例BGA集成电阻器的汽车电子设备，其中：所述汽车电子设备包括电路板，所述BGA集成电阻器集成在所述电路板上。 

由以上技术方案可知，本发明实施例采用了包括焊盘结构的BGA封装技术，使导带能够被完全覆盖在保护膜之下，从而防止导带被硫化腐蚀而使集成电阻器失效，延长集成电阻器的使用寿命，降低维修和更换的成本，采用BGA封装技术制成的BGA集成电阻器还具有集成度高、体积小的优点，符合电气设备小型化的发展需要。 

附图说明

图1为现有技术中一种普通表贴式集成电阻器的一路电阻剖面结构示意图； 

图2为现有技术中普通表贴式集成电阻器硫化腐蚀的结构示意图； 

图3为本发明第一实施例提供的BGA集成电阻器的局部剖视结构示意图； 

图4为本发明第一实施例提供的BGA集成电阻器中一种覆盖关系的结构示意图； 

图5为本发明第一实施例提供的BGA集成电阻器中另一种覆盖关系的结构示意图； 

图6为本发明第二实施例提供的BGA集成电阻器的局部剖视结构示意图； 

图7为本发明第三实施例提供的BGA集成电阻器的俯视结构示意图； 

图8为图7中本发明第三实施例提供的BGA集成电阻器所形成的电阻电路示意图； 

图9为本发明第四实施例提供的BGA集成电阻器的制造方法的流程图。