[发明专利]用于PCRAM的多晶硅发射极BJT存取器件

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

由硅组成的衬底；

在所述衬底上方的包括绝缘材料的绝缘区；

在所述衬底上方的且被包含在所述绝缘区内的由第一半导体材料组成的基础层；

在所述基础层上方的且被包含在所述绝缘区内的由第二半导体材料组成的发射极层，该第二半导体材料是多晶硅；

在所述发射极层上方的且被包含在所述绝缘区内的由导电材料组成的插塞；

在所述插塞上方的且被包含在所述绝缘区内的由相变材料组成的相变元件；和

在所述相变元件上方的且被包含在所述绝缘区内的由导电材料组成的顶部电极层。

2.根据权利要求1的存储器单元，还包括在所述发射极层上方由硅化物组成的硅化物层，该硅化物层设置在插塞的下面并被包含在所述绝缘区内。

3.根据权利要求1的存储器单元，其中所述发射极层被包含在间隔物内，该间隔物被包含在所述绝缘区内。

4.根据权利要求1的存储器单元，其中所述衬底由P掺杂的硅组成。

5.根据权利要求1的存储器单元，其中所述第一半导体材料由N掺杂的硅组成。

6.根据权利要求1的存储器单元，其中所述第二半导体材料由P掺杂的多晶硅组成。

7.根据权利要求1的存储器单元，其中所述插塞由钨组成。

8.根据权利要求1的存储器单元，其中所述顶部电极层由导电金属组成。

9.根据权利要求1的存储器单元，其中所述第一半导体材料由SiGe组成。

10.一种包括一个或多个存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元中的至少一个包括：

由硅组成的衬底；

在衬底上方的包括绝缘材料的绝缘区；

在衬底上方的且被包含在所述绝缘区内的由-第一半导体材料组成的基础层，该基础层形成字线；

在所述基础层上方的且被包含在所述绝缘区内的由第二半导体材料组成的发射极层，该第二半导体材料是多晶硅；

在所述发射极层上方的且被包含在所述绝缘区内的由导电材料组成的插塞；

在所述插塞上方的且被包含在所述绝缘区内的由相变材料组成的相变元件；和

在所述相变元件上方的且被包含在所述绝缘区内的由导电材料组成的顶部电极层，所述顶部电极层形成位线。

11.根据权利要求10的存储器阵列，还包括在所述发射极层上方的由硅化物组成的硅化物层，所述硅化物层设置在所述插塞的下面并被包含在所述绝缘区内。

12.根据权利要求10的存储器阵列，其中所述发射极层被包含在间隔物内，该间隔物被包含在所述绝缘区内。

13.根据权利要求10的存储器阵列，其中所述衬底由P掺杂的硅组成。

14.根据权利要求10的存储器阵列，其中所述第一半导体材料由N掺杂的硅组成。

15.根据权利要求10的存储器阵列，其中所述第二半导体材料由P掺杂的多晶硅组成。

16.根据权利要求10的存储器阵列，其中所述插塞由钨组成。

17.根据权利要求10的存储器阵列，其中所述顶部电极层由导电金属组成。

18.根据权利要求10的存储器阵列，其中所述第一半导体材料由SiGe组成。