[发明专利]导线结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200910002513.5 | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101488489A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 胡玉山;陈明志;胡迪群 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/485;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导线 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体元件的导线结构，其特征在于，包含：
一基板；
至少一图案化导电层，形成于该基板之上；
一导线，形成于该至少一图案化导电层之上；以及
一保护层，以无电镀工艺方式形成围绕该导线的上表面及侧壁以避免蚀刻所产生的切口问题。
2.如权利要求1所述的半导体元件的导线结构，其特征在于，还包含一底层形成于该导线之下。
3.如权利要求1所述的半导体元件的导线结构，其特征在于，该导线包括金或铜。
4.如权利要求1所述的半导体元件的导线结构，其特征在于，该至少一图案化导电层包括至少钛/铜。
5.如权利要求1所述的半导体元件的导线结构，其特征在于，该保护层包括锡、金、银或镍。
6.一种形成半导体元件的导线结构的方法，其特征在于，包含：
提供一基板；
形成至少一导电层于该基板之上；
图案化一光阻层于该至少一导电层之上以裸露该至少一导电层的上层；
蚀刻该上层；
形成一底层于经过该蚀刻该上层之后的该至少一导电层之上；
形成一导线于该底层之上；
移除该光阻层；以及
以无电镀工艺形成一包括锡、金、银或镍的保护层，围绕该导线的上表面及侧壁以避免蚀刻所产生的切口问题。
7.如权利要求6所述的形成半导体元件的导线结构的方法，其特征在于，该底层包括镍、金或铂。
8.如权利要求6所述的形成半导体元件的导线结构的方法，其特征在于，该导线包括金或铜。
9.如权利要求6所述的形成半导体元件的导线结构的方法，其特征在于，该至少一导电层包括至少钛/铜/钛。
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