[发明专利]曝光中使用的光掩膜有效
申请号: | 200910002649.6 | 申请日: | 2009-01-09 |
公开(公告)号: | CN101482695A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 高木俊博 | 申请(专利权)人: | 三荣技研股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 使用 光掩膜 | ||
1.一种光掩膜,其在曝光中使用,在所述曝光中,通过将力施加在 薄膜状光掩膜的周缘使该光掩膜弹性变形,从而改变在该光掩膜上描绘出 的、包括多个对位标记的图案的尺寸及/或形状,由此使所述光掩膜和基板 对位之后,将所述图案转印在所述基板上,
所述光掩膜的特征在于,具备:
中央部分,其描绘有所述图案;
力传递部分,其与该中央部分独立制成,以作为整体包围所述中央部 分的外周缘部的方式配置,且与该中央部分的外周缘部接合,该力传递部 分具有用于与力赋予机构连结的连结部,该力赋予机构用于使所述中央部 分弹性变形。
2.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于,
所述力传递部分由在所述中央部分的每个边独立制成的多个带状构 件构成,所述带状构件与所述中央部分的每个边接合。
3.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于,
所述力传递部分作为单一框状构件制成,该框状构件与所述中央部分 接合。
4.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于,
所述力传递部分由在所述中央部分的相互邻接的每两个边制成的一 对L字状构件构成,该一对L字状构件与所述中央部分接合。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光掩膜,其特征在于,
所述中央部分及所述力传递部分在使相互的缘端面面对面的状态下, 通过在该面对面部的至少单面侧粘贴粘附胶带而相互接合。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的光掩膜,其特征在于,
所述连结部由多个孔构成,该孔用于钩挂形成在作为力赋予机构的致 动器的可动端部上的钩部。
7.一种光掩膜,其在曝光中使用,在所述曝光中,通过将力施加在 薄膜状光掩膜的周缘使该光掩膜弹性变形,从而改变在该光掩膜上描绘出 的、包括多个对位标记的图案的尺寸及/或形状,由此使所述光掩膜和基板 对位之后,将所述图案转印在所述基板上,
所述光掩膜的特征在于,具备:
中央部分,其描绘有所述图案;
力传递部分,其与该中央部分独立制成,以作为整体包围所述中央部 分的外周缘部的方式配置,且与该中央部分的外周缘部接合,该力传递部 分具有用于与力赋予机构连结的连结部,该力赋予机构用于使所述中央部 分弹性变形,
其中,所述中央部分及所述力传递部分在使相互的缘端面面对面的状 态下,通过在该面对面部的至少单面侧粘贴粘附胶带而相互接合,
所述连结部由多个孔构成,该孔用于钩挂形成在作为力赋予机构的致 动器的可动端部上的钩部。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备