[发明专利]曝光中使用的光掩膜有效
申请号: | 200910002649.6 | 申请日: | 2009-01-09 |
公开(公告)号: | CN101482695A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 高木俊博 | 申请(专利权)人: | 三荣技研股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 使用 光掩膜 | ||
技术领域
本发明涉及一种光掩膜,其在曝光方法中使用,在所述曝光方法中, 通过将力施加在薄膜状光掩膜的周缘使该光掩膜弹性变形,从而改变在该 光掩膜上描绘出的、包括多个对位标记的图案的尺寸及/或形状,由此使所 述光掩膜和基板对位之后,将所述图案转印到所述基板上。
背景技术
在日本专利第3402681号中公开了上述曝光方法。基于图5及图6对 其原理进行说明。如图所示,在光掩膜101的周围设置有多个作为力赋予 机构的致动器102,该力赋予机构用于将拉伸力给与光掩膜101的周缘部。 致动器102以包围光掩膜101的方式安装在基座构件103上。在致动器102 的可动端部104上形成有钩部105。
另一方面,在光掩膜101的周缘部形成有多个孔(长孔)106。孔106 接受致动器102的钩部105而与之卡合,构成将作为力赋予机构的致动器 102的拉伸力传递给光掩膜101的连结部。
用于维持光掩膜101平面性的透明玻璃板107由基座构件103支承。
基板108配置在与光掩膜101对置的位置。基板108被支承在基板支 承构件109上,使其与光掩膜101之间的间隙量可变。
在光掩膜101的与基板108相反的一侧配置有CCD照相机110。CCD 照相机110能够改变其位置,还能够同时读取在光掩膜101上描绘出的对 位标记111(图5)和在基板108上描绘出的对位标记116(图8)。此外, 光掩膜101上的对位标记111间的间距比基板108上的对位标记116间的 间距稍小。
在图5中由双点划线B围成的光掩膜101的区域可以作为在其中描绘 包括对位标记111的图案时的图案显示区域112进行识别。另外,包围图 案显示区域112周围的光掩膜101的区域可以作为用于将光掩膜101与作 为力赋予机构的致动器102连结而传递力的区域即力传递区域113进行识 别。
为了使光掩膜101与基板108对位,首先,由CCD照相机110读取 双方描绘的对位标记重叠的状态,并基于位置偏移量数据,移动光掩膜101 或基板108,从而使各对位标记中的位置偏移量平均化。
接着,通过使致动器102动作而将拉伸力给与光掩膜101,从而改变 包括对位标记111的图案的尺寸及/或形状,使光掩膜101的对位标记111 与基板108的对位标记116以高精度重合。
这样,如果光掩膜101与基板108的对位结束,则通过光掩膜101使 曝光用的光114(图6)照射在基板108上,将在光掩膜101的图案显示 区域112内描绘的图案转印到基板108上。从而图案以高尺寸精度及高对 位精度被转印到基板108上。
专利文献1:日本专利第3402681号。
上述曝光方法中使用的现有光掩膜显然比在此之前使用过的光掩膜 大。这是由于需要在描绘图案时的图案显示区域112的周围设置力传递区 域113。如果在曝光时仅支承光掩膜的外周缘,则在图案显示区域112的 周围设置窄幅的“支承用区域”即可。但是,如果为连结力赋予机构的情 况,则不仅需要形成连结用孔,还必须将力传递区域113的宽度设定为足 够大,以使因各个致动器的拉伸力引起的光掩膜的局部歪曲不会直接影响 到图案。其结果,不得不将由高价材料构成的光掩膜制成较大。
试着用图7对现有光掩膜101的大小和在此以前的光掩膜的大小进行 比较。相对于由双点划线B围成的图案显示区域112的面积,现有光掩膜 101的面积约为2.6倍,而由双点划线C示出的在此以前的光掩膜的面积 是图案显示区域112的约1.6倍。这是由于,相对于现有光掩膜101中必 须设置较大的力传递区域113,在此之前的光掩膜中,图案显示区域112 周围的区域用较小的支承用区域115即可。
图8是表示与光掩膜对置配置的基板108和在其上面形成的对位标记 116的俯视图。在使光掩膜和基板108对位之后,在光掩膜上描绘的图案 通过曝光转印在基板108上。与基板108相比,光掩膜101具有约2.5倍 以上的大小,而其一半以上是不需要由高价光掩膜材料制成的力传递区域 113。
因光掩膜变大而导致的问题不仅是光掩膜制成费用的增加。并且较大 的光掩膜也无法与现状的光掩膜描绘装置对应。为了求得可对应的描绘装 置,需要新设备投资。
发明内容
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备