[发明专利]包括具有模制器件的基板的管芯封装

说明书

背景技术

光耦合器包含至少一个通过光学透射介质光耦合到光接收器件的光发射 器件。此安排使信息能通过包含光发射器件的一个电路传递到包含光接收器件 的另一电路。两个电路之间保持高度电绝缘。因为信息跨越绝缘间隙光学地传 递，所以传送是单向的。例如，光接收器件不能修改包含光发射器件的电路的 操作。此特征是合乎需要的，因为例如发射器可由使用微处理器或逻辑门的低 压电路驱动，而输出光接收器件可以是高压直流或交流负载电路的一部分。光 隔离还防止由相对抗的输出电路引起的对输入电路的损伤。

图1示出常规光耦合器封装10的侧视图。所示出的光耦合器10包括基板 24以及基板24上的焊球18。包括光发射器表面16(a)的LED(发光二极管) 器件16和光电晶体管器件12(包括光接收器表面12(a))在基板24上并被 光学透射介质22覆盖。

由于光电晶体管12器件的低效，光电晶体管(二极管)器件12所生成的 输出电流较低(例如，约几nA，与噪声同一水平)，从而接收非常有限的由 LED发射的光。光电晶体管12的光接收器表面12(a)不面对LED器件16 的光发射器表面16(a)。结果，来自LED器件16的光线20射向光接收器件 12以及光电晶体管(或二极管)的光接收器表面12(a)少于10％的时间。

此外，LED器件16和光电晶体管12的位置由基板24中形成的焊盘限定。 这可限制形成具有不同器件配置的光耦合器封装的能力。

将IC驱动器器件、LED器件、光电晶体管器件(或二极管器件)与跨阻 放大器组合成一个封装(微耦合器—SIP或系统级封装)是可能的。一种将各 部件配置成封装的方法是将它们全部放置在单个引线框结构上、执行引线接合 工艺、且然后执行制模工艺。然而，此封装配置可能不是最有效的配置，因为 这三个器件在引线框结构上相互横向有间隔。例如，如果此排列是在SOIC型 封装中，则封装将具有约4 x 5mm²的大小以及约3.6mm的厚度。侧引线跨度 将约为6mm。这对于一些应用而言可能太大了。

本发明的各实施例单独地和共同地解决这个问题及其它问题。

发明内容

本发明的各实施例涉及光耦合器封装、光耦合器组件、及其制造方法。

本发明的一个实施例涉及包括预模制(pre-molded)基板的管芯封装，该 预模制基板包括引线框结构、附连到引线框结构的第一器件、以及覆盖引线框 结构和第一器件的至少一部分的制模材料。第一器件优选是诸如驱动器IC之 类的控制器件。第二器件被附连到预模制基板。第二器件优选是诸如发光二极 管器件(或LED器件)之类的光电子器件。

本发明的另一实施例涉及用于形成封装的方法。该方法包括形成具有引线 框结构、附连到引线框结构的第一器件、以及覆盖引线框结构和第一器件的至 少一部分的制模材料的预模制基板。在预模制基板形成之后，第二器件被附连 到预模制基板。

本发明的另一实施例涉及管芯封装，其包括含有引线框结构的基板、附连 到引线框结构的第一器件、以及附连到基板的第二器件，其中第一器件与第二 器件是叠层关系，并且其中第一和第二器件中的至少一个是光电子器件。

以下参考附图更详细地描述本发明的这些及其它实施例。

附图说明

图1示出常规光耦合器封装的侧视图。

图2示出根据本发明的实施例的光耦合器封装的顶部透视图。

图3示出根据本发明的实施例的光耦合器封装的底部透视图。

图4-5示出图2中的光耦合器封装的顶部透视图，且一些内部部件被示出。

图6示出图2中所示的光耦合器封装的底部立体图，且一些内部部件被示 出。

图7示出图2中所示的光耦合器封装的俯视图，且一些内部封装部件被示 出。

图8示出图2中所示的光耦合器封装的仰视图，且一些内部封装部件被示 出。

图9示出图2中所示的光耦合器封装的侧视图，且一些内部封装部件被示 出。

图10示出预模制基板的侧视图，且一些内部封装部件被示出。

图11(a)-11(i)示出在形成根据本发明的实施例的光耦合器封装时形成的前 体。

图12-13示出本发明的实施例的另一光耦合器封装的顶部透视图，且一些 内部部件被示出。