[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

硅基板，在硅基板的后表面侧上的p型杂质扩散区和n型杂质扩散区；

后表面侧钝化膜，形成于所述硅基板的后表面侧；

光接收表面侧钝化膜，形成于所述硅基板的光接收表面上；

抗反射膜，形成于所述光接收表面侧钝化膜上；

其中所述光接收表面侧钝化膜的折射率高于所述抗反射膜的折射率；

其中所述光接收表面侧钝化膜和所述抗反射膜分别由氮化硅膜制成；以 及

其中所述后表面侧钝化膜由氧化硅制成，所述光接收表面侧钝化膜的折 射率不小于2.9。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述后表面侧钝化膜由热 氧化的硅膜制成。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述光接收表面侧钝化膜 的厚度不大于10nm。

4.一种制造太阳能电池的方法，包括的步骤为：

在氧化气氛中，通过加热硅基板来形成氧化硅膜，在所述硅基板的一表 面侧具有p型杂质扩散区和n型杂质扩散区；

去除形成于所述硅基板的与所述一表面相对的另一表面的氧化硅膜；

在去除了所述氧化硅膜的所述另一表面通过使用第一气体的等离子体 CVD形成第一氮化硅膜；和

在所述第一氮化硅膜上通过使用第二气体的等离子体CVD形成第二氮 化硅膜，所述第二气体具有与所述第一气体不同的组分，其中所述第一氮化 硅膜为钝化膜，所述第二氮化硅膜为抗反射膜，所述第一氮化硅膜的折射率 不小于2.9，所述钝化膜的折射率高于所述抗反射膜的折射率。

5.根据权利要求4所述制造太阳能电池的方法，其中所述第一气体和 所述第二气体包括硅烷气体和氨气。

6.根据权利要求4所述制造太阳能电池的方法，其中用于形成所述第 一氮化硅膜的膜形成腔不同于用于形成所述第二氮化硅膜的膜形成腔。

7.一种制造太阳能电池的方法，包括的步骤为：

在氧化气氛中，通过加热硅基板来形成氧化硅膜，在所述硅基板的一表 面侧具有p型杂质扩散区和n型杂质扩散区；

去除形成于所述硅基板的与所述一表面相对的另一表面的氧化硅膜；

在去除了所述氧化硅膜的所述另一表面通过第一射频功率密度的等离 子体CVD形成第一氮化硅膜；和

在所述第一氮化硅膜上通过第二射频功率密度的等离子体CVD形成第 二氮化硅膜，其中所述第一氮化硅膜为钝化膜，所述第二氮化硅膜为抗反射 膜，所述第一氮化硅膜的折射率不小于2.9，所述钝化膜的折射率高于所述 抗反射膜的折射率。

8.根据权利要求7所述制造太阳能电池的方法，其中用于形成所述第 一氮化硅膜的膜形成腔不同于用于形成所述第二氮化硅膜的膜形成腔。