[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法

说明书

本申请是申请日为2005年10月13日且发明名称为“太阳能电池及太 阳能电池的制造方法”的中国专利申请No.200580035580.7的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池和太阳能电池的制造方法。更具体而言，本 发明涉及具有改进的最大电功率的太阳能电池及该太阳能电池的制造方法。

背景技术

最近，期望清洁能源的开发来解决例如能源枯竭和空气中的CO₂增加的 全球性环境问题。具体而言，使用硅基板的太阳能电池(此后称为硅太阳能 电池)作为新的能源已经得到开发并投入实际使用，寻求开发道路。

为了提高硅太阳能电池的最大电功率，已经致力于防止硅基板内部和硅 基板表面上的少数载流子的损失。具体而言，为了防止硅基板表面上的少数 载流子的损失，开发了在硅基板表面上形成氧化硅膜以防止少数载流子复合 的钝化技术(例如见非专利文献1)。此外，还开发了在硅基板表面上形成氮 化硅膜的钝化技术(例如见非专利文献2)。

非专利文献1：Jianhua Zhao，Aihua Wang，Martin A.Green，“24.7％ EFFICIENT PERL SILICON SOLAR CELLS AND OTHER HIGH EFFICIENCY SOLAR CELL AND MODULE RESEARCH AT THE UNIVERSITY OF NEW SOUTH WALES”，ISES Solar World Congress， Jerusalem，Israel，1999.

非专利文献2：Jan Schmidt，Mark Kerr，Andres Cuevas，“Surface passivation of silicon solar cells using plasma-enhanced chemical-vapour-deposited SiN films and thin thermal SiO₂/plasma SiN stacks”， Semicond.Sci.Technol.，16(2001)，pp 164-170.

发明内容

本发明解决的问题

当如非专利文献1所述，氧化硅膜形成在硅基板表面上作为防止硅基板 表面上的少数载流子的复合的钝化膜时，氧化硅膜也用作防止太阳光反射的 抗反射膜。然而，由于氧化硅膜在防止太阳光反射方面不是很有效，且对太 阳光具有高反射系数，因此不能获得足够的最大电功率。

此外，当如非专利文献2所述，氮化硅膜形成在硅基板表面上作为钝化 膜时，该氮化硅膜也用作防止太阳光反射的抗反射膜。虽然随着氮化硅膜的 折射率增加，钝化效果(防止硅基板表面上的少数载流子的复合)也提高， 但由于具有高折射率的氮化硅膜中的吸收，损失相当多的太阳光。因此，不 能获得足够的最大电功率。

本发明的一个目的是提供一种具有提高的最大电功率的太阳能电池和 该太阳能电池的制造方法。

解决问题的方法

本发明的太阳能电池包括形成在硅基板的光接收表面上的钝化膜和形 成在该钝化膜上的抗反射膜，其中该钝化膜具有高于抗反射膜的折射率。

在本发明的太阳能电池中，钝化膜和抗反射膜均可以由氮化硅膜制成。

此外，在本发明的太阳能电池中，钝化膜优选具有不超过10nm的膜厚。

此外，在本发明的太阳能电池中，钝化膜优选具有不小于2.6的折射率。

此外，制造根据上述任何一个的太阳能电池的本发明的方法包括的步骤 为：通过使用第一气体的等离子CVD在硅基板的光接收表面上形成钝化膜； 和通过使用具有不同于第一气体的组分的第二气体的等离子CVD在该钝化 膜上形成抗反射膜。在制造本发明的太阳能电池的方法中，只要构成第二气 体的至少一种成分类型和成分之间的数量关系不同于第一气体即可。

在制造根据本发明的太阳能电池的方法中，形成钝化膜的RF功率密度 优选低于形成抗反射膜的RF功率密度。

此外，在制造本发明的太阳能电池的方法中，用于形成钝化膜的膜形成 腔不同于用于形成抗反射膜的膜形成腔。

此外，在制造本发明的太阳能电池的方法中，第一气体和第二气体可以 包括硅烷气体和氨气。

本发明的效果