[发明专利]电熔丝电路无效
申请号: | 200910003669.5 | 申请日: | 2009-01-19 |
公开(公告)号: | CN101499321A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 山本安卫;县泰宏;白滨政则;川崎利昭 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11C17/18 | 分类号: | G11C17/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电熔丝 电路 | ||
1、一种电熔丝电路,在熔丝元件中流过电流而进行该熔丝元件的切断,其包括:
独立的1个电源开关电路;
熔丝元件,其一端与所述电源开关电路的输出相连;以及
第1MOS晶体管,其与所述熔丝元件的另一端相连。
2、根据权利要求1所述的电熔丝电路,其特征在于:
具有多个由所述熔丝元件与所述第1MOS晶体管构成的熔丝比特单元。
3、根据权利要求1所述的电熔丝电路,其特征在于:
所述电源开关电路具有第1开关晶体管与第2开关晶体管,将第1电源电压与比所述第1电源电压小的第2电源电压作为输入;所述第1开关晶体管的一端与所述第1电源电压相连,另一端与所述电源开关电路的输出相连,所述第2开关晶体管的一端与所述第2电源电压相连,另一端与所述电源开关电路的输出相连。
4、根据权利要求3所述的电熔丝电路,其特征在于:
所述第1开关晶体管是PMOS晶体管,所述第2开关晶体管由CMOS传输门构成。
5、根据权利要求3所述的电熔丝电路,其特征在于:
所述第1电源电压是LSI的I/O电源电压,所述第2电源电压是该LSI的逻辑电源电压。
6、根据权利要求3所述的电熔丝电路,其特征在于:
所述电源开关电路的所述第1开关晶体管和所述第2开关晶体管的栅极氧化膜厚度与LSI的I/O电路的栅极氧化膜厚度相等。
7、根据权利要求1所述的电熔丝电路,其特征在于:
在接地电位与所述电源开关电路的输出之间连接二极管,将所述二极管的阳极连接到接地电位,将所述二极管的阴极与所述电源开关电路的输出相连。
8、根据权利要求7所述的电熔丝电路,其特征在于:
从LSI的I/O电源单元侧向该LSI的内侧,以所述电源开关电路、所述二极管、所述多个熔丝比特单元的顺序来进行配置。
9、根据权利要求7所述的电熔丝电路,其特征在于:
在所述多个熔丝比特单元的周围配置二极管,从LSI的I/O电源单元侧向该LSI的内侧,以所述电源开关电路、所述二极管、所述多个熔丝比特单元、所述二极管的顺序来进行配置。
10、根据权利要求7所述的电熔丝电路,其特征在于:
在与LSI的外部端子相连的焊盘的下层配置所述电源开关电路或所述二极管或所述多个熔丝比特单元的一部分。
11、根据权利要求10所述的电熔丝电路,其特征在于:
按交错状配置与LSI的外部端子相连的焊盘,在位于该LSI内侧的焊盘的下层配置所述电源开关电路或所述二极管或所述多个熔丝比特单元的一部分。
12、根据权利要求2所述的电熔丝电路,其特征在于:
所述多个熔丝比特单元的栅极氧化膜厚度与LSI的逻辑晶体管的栅极氧化膜厚度相等。
13、根据权利要求3所述的电熔丝电路,其特征在于:
LSI具有多个所述电源开关电路,输入到各电源开关电路的所述第1电源电压不同,多个所述电源开关电路的所述第1开关晶体管的栅极长度与栅极宽度完全相等、且多个所述电源开关电路的所述第2开关晶体管的栅极长度和栅极宽度完全相等。
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