[发明专利]半导体器件、其制造方法、使用该半导体器件的信号传送/接收方法以及测试器装置有效
申请号: | 200910003767.9 | 申请日: | 2009-02-01 |
公开(公告)号: | CN101499472A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 中柴康隆 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/482;H01L21/82;G01R31/28;G06K7/10 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;安 翔 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 使用 信号 传送 接收 以及 测试 装置 | ||
1.一种半导体器件,包括:
基板;
键合焊盘,提供在所述基板上方;以及
第一信号传送/接收部,提供在所述基板上方并且在所述键合焊盘 下方,用于通过电磁感应,以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收, 其中,所述键合焊盘被连接到所述第一信号传送/接收部。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括提供在所述基 板上的内部电路,所述内部电路包括至少一个输入/输出端子,
其中,所述键合焊盘和所述第一信号传送/接收部连接到所述内部 电路的所述至少一个输入/输出端子。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括第二信号传送 /接收部,所述第二信号传送/接收部提供在所述基板上方并且在所述键 合焊盘下方,用于通过电磁感应,以非接触方式向/从外部执行信号传 送/接收。
4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,在同一层中提供所 述第一信号传送/接收部和所述第二信号传送/接收部。
5.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,在不同层中提供所 述第一信号传送/接收部和所述第二信号传送/接收部。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,以一个处于另一个 上方地提供所述第一信号传送/接收部和所述第二信号传送/接收部。
7.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,所述第一信号传送 /接收部和所述第二信号传送/接收部检测不同相位的信号。
8.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,所述第一信号传送 /接收部和所述第二信号传送/接收部中的每个由单层形成的导体形成。
9.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,所述第一信号传送 /接收部和所述第二信号传送/接收部包括电感器。
10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一信号传 送/接收部由单层形成的导体形成。
11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一信号传 送/接收部包括电感器。
12.一种信号传送/接收方法,包括:
以非接触方式使外部器件接近半导体器件,所述半导体器件包括 基板、提供在所述基板上方的键合焊盘以及第一信号传送/接收部,所 述第一信号传送/接收部提供在所述基板上方并且在所述键合焊盘下 方,用于通过电磁感应,以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收, 所述外部器件包括第一外部信号传送/接收部,所述第一外部信号传送/ 接收部提供在与所述第一信号传送/接收部相对应的位置处,用于通过 电磁感应,以非接触方式向/从所述第一信号传送/接收部执行信号传送 /接收;以及
在所述第一外部信号传送/接收部与所述第一信号传送/接收部之 间,执行所述信号传送/接收。
13.根据权利要求12所述的信号传送/接收方法,其中,所述第一 外部信号传送/接收部及所述第一信号传送/接收部传送/接收用于测试 所述半导体器件的信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的