[发明专利]半导体器件、其制造方法、使用该半导体器件的信号传送/接收方法以及测试器装置有效
申请号: | 200910003767.9 | 申请日: | 2009-02-01 |
公开(公告)号: | CN101499472A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 中柴康隆 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/482;H01L21/82;G01R31/28;G06K7/10 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;安 翔 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 使用 信号 传送 接收 以及 测试 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体器件、其制造方法、使用该半导体器件的 信号传送/接收方法以及测试器装置。
背景技术
近年来,通过无线通信来进行数据通信的半导体器件是公知的。
日本专利申请特开No.2007-134694公开了通过电磁感应系统用于通 信数据的半导体器件。该半导体器件具有线圈天线及连接到该线圈天 线的半导体集成电路。当将连接到读取器/写入器的线圈天线接近半导 体器件时,连接到读取器/写入器的线圈天线产生AC磁场。该AC磁 场穿过半导体器件中的线圈天线。通过电磁感应,在天线的端子之间 产生电动势,并且使半导体器件中的半导体集成电路工作。
日本专利申请特开No.2005-311331公开了以下结构,在所述结构 中,集成电路和天线形成在同一基板上,并且包括在天线中的导电线 或导电膜形成在两个层中,以将在其上形成有集成电路的基板夹在中 间。在其中,描述了以下示例,在所述示例中,两层导电线分别是用 于给集成电路供电的天线和用于传送/接收信号的天线。
日本专利申请特开No.2005-228785公开了以下结构,在所述结构 中,在半导体芯片的电路的外围之外的区域中设置线圈天线。日本专 利申请特开No.2005-30877公开了以下技术,在所述技术中,在半导 体集成电路器件中安装内置测试电路和无线通信电路,并且该内置测 试电路由无线电信号控制以进行测试。
另一方面,日本专利译文公布No.2006-504274公开了其中提供导 电结构作为无源组件的结构,该无源组件用于抵抗在键合导电键合焊 盘层时的机械力,以机械地稳定绝缘层。在此,在键合焊盘层下提供 包括在模拟电路中的无源组件,并且在无源组件和键合焊盘层之间提 供用于阻止无源组件和键合焊盘层耦合的屏蔽层。
本发明人已经意识到以下问题。传统地,为了以半导体器件的晶 片级对内部电路进行测试,通过利用探针的探测,对半导体器件的芯 片表面上的用于电源的焊盘供电,并且,利用经由探针的用于信号的 焊盘来传送/接收信号,以测试内部电路的操作。然而,在探针测试期 间,探针的针会划伤焊盘,这将导致在之后的焊盘键合中的不良连接, 或者,导致由于焊盘的削屑而产生的污染。此外,随着芯片尺寸减小 以及随着每个芯片的焊盘数的增加,焊盘尺寸和在焊盘之间的间隔变 小,并且因此,相应地,变得难以在多个焊盘与相应的多个探针之间 实现符合要求的电连接。
为了避免这些问题,优选地以非接触方式,来相对于内部电路执 行供电以及信号的传送/接收。然而,为了使用,例如,电磁感应来从/ 向内部电路执行各种信号的传送/接收,以代替多个焊盘,以便对应于 向/从多个焊盘输入/输出信号,需要多个电感器,并且因此,电感器需 要较大的覆盖区。如日本专利申请特开No.2007-134694、 No.2005-311331以及No.2005-228785中所公开的,在芯片的外围上设 置用于信号传送/接收的线圈天线的结构中,不能设置多个天线。此外, 在日本专利申请特开No.2005-30877公开的技术中,仅仅在假设相对于 一个芯片设置用于天线的一个线圈的情况下,而且使用从外部输入的 无线电信号的载波来产生功率。此外,在日本专利译文公布 No.2006-504274中公开的无源组件中,不采取将无线电信号从/向外部 输入/输出,并且在无源组件和键合焊盘层之间提供屏蔽层使得信号不 能从/向外部输入/输出。
发明内容
根据本发明的一方面,提供一种半导体器件,包括:
基板;
焊盘,其提供在基板上方;以及
第一信号传送/接收部,其提供在基板上方并且在键合焊盘下方, 用于通过电磁感应,以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收。
根据本发明的另一方面,提供一种信号传送/接收的方法,包括:
以非接触方式使外部器件接近半导体器件,该半导体器件包括基 板、提供在基板上方的键合焊盘以及第一信号传送/接收部,所述第一 信号传送/接收部提供在基板上方并且在键合焊盘下方,用于通过电磁 感应,以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收,该外部器件包括第 一外部信号传送/接收部,所述第一外部信号传送/接收部提供在与第一 信号传送/接收部相对应的位置处,用于通过电磁感应,以非接触方式 向/从第一信号传送/接收部执行信号传送/接收;以及
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的