[发明专利]超导导线及其用途与制造工艺

权利要求书

1.一种包括超导导线(10)的电气构件，所述导线包括：

连接在第二导线段(14)上的第一导线段(12)；其中，

所述第一导线段(12)和所述第二导线段(14)在选自于包括磁场耐 受性、温度耐受性、交流损耗和应变耐受性等的组的至少一种特性方 面是有差异的；并且其中

所述磁场耐受性通过处于Tc以下的给定温度T处的临界电流Ic 对磁场H的关系来测量，所述温度耐受性通过处于Hc以下的给定磁 场处的临界电流Ic对温度T的关系来测量，所述交流损耗通过与所施 加的交流电流及场的频率及大小对应的交流损耗的量来测量，而所述 应变耐受性通过随应变的Ic下降来测量。

2.根据权利要求1所述的电气构件，其特征在于，所述第一导 线段(12)和第二导线段(14)包括不同的超导成分。

3.根据权利要求2所述的电气构件，其特征在于，所述超导成 分选自下述组，所述组包括：NbTi，Nb₃Sn，MgB₂，YBa₂Cu₃O₇， BSCCO-2223，BSCCO-2212，TlBa₂Ca₂Cu₃O₉，Tl₂Ba₂CaCu₂O₈， (TlPb)Sr₂CaCu₂O₇，(TlPb)Sr₂Ca₂Cu₃O₉，及它们的组合。

4.根据之前权利要求中的任一项所述的电气构件，其特征在于， 所述第一导线段(12)由NbTi形成而所述第二导线段(14)由Nb₃Sn形 成。

5.一种形成包括超导导线(10)的超导场线圈(170)的工艺，其包括：

缠绕第一导线段(12)；

将第二导线段(14)连接至所述第一导线段(12)；以及

将所述第二导线段(14)缠绕在所述第一导线段(12)附近，其中，

所述第一导线段(12)和所述第二导线段(14)在选自于包括磁场耐 受性、温度耐受性、交流损耗和应变耐受性等的组的至少一种特性方 面是有差异的；且其中

所述磁场耐受性通过处于Tc以下的给定温度T处的临界电流Ic 对磁场H的关系来测量，所述温度耐受性通过处于Hc以下的给定磁 场处的临界电流Ic对温度T的关系来测量，所述交流损耗通过与所施 加的交流电流及场的频率及大小对应的交流损耗的量来测量，而所述 应变耐受性通过随着应变的Ic下降来测量。

6.根据权利要求5所述的工艺，其特征在于，所述第一导线段(12) 由NbTi形成并限定低场区域，而所述第二导线段(14)由Nb₃Sn形成并 限定所述场线圈的高场区域。

7.根据权利要求5所述的工艺，其特征在于，所述第一导线段(12) 和/或第二导线段(14)包括选自下述组的超导成分，所述组包括：NbTi， Nb₃Sn，MgB₂，YBa₂Cu₃O₇，BSCCO-2223，BSCCO-2212， TlBa₂Ca₂Cu₃O₉，Tl₂Ba₂CaCu₂O₈，(TlPb)Sr₂CaCu₂O₇，(TlPb)Sr₂Ca₂Cu₃O₉， 及它们的组合。