[发明专利]超导导线及其用途与制造工艺无效
申请号: | 200910003777.2 | 申请日: | 2009-01-19 |
公开(公告)号: | CN101488379A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | J·W·布雷;E·T·拉斯卡里斯;K·斯瓦苏布拉马尼亚姆 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01B12/02 | 分类号: | H01B12/02;H01F6/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;杨松龄 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超导 导线 及其 用途 制造 工艺 | ||
技术领域
本发明公开大致涉及超导导线、其制造方法、以及其在电子构件 (components)中的用途。
背景技术
诸如电马达和发电机等的示例性的超导(SC)旋转式机器 (machines)包括SC场线圈和非超导电枢绕组(例如位于固定的定子 上)。当供给电压时,场线圈产生磁场(magnetic field),其将该场线圈 和该电枢绕组耦合起来。耦合磁场的大小由穿过场线圈的电流量、并 且在较小程度上由来自负载的电枢反作用电流来确定。机器中的磁应 力(magnetic stress)转换成扭矩,导致转子旋转。对于给定的电枢绕组 的周长和空隙表面积,磁场越高,则每旋转的扭矩越大。虽然电枢绕 组也可以是超导的,但通常它们由非SC材料(例如铜)所形成。
在已确立的商用超导(SC)导线(例如NbTi或Nb3Sn)中,电流携带 容量是临界电流Ic的函数,在该电流处,材料具有从超导相至非超导 相的转变。Ic是温度T和磁场H的降函数。这些超导导线在价格和制 造成本方面也不一样;例如,与Nb3Sn相比,NbTi具有较低的价格和 制造成本,但也具有较低的Ic。超导体在转变温度Tc和临界磁场Hc 处也具有从超导相至非超导相的转变,并且因此,其必须在该温度和 磁场之下进行操作。
在SC场线圈中,例如在SC电马达及发电机中所使用的那些场线 圈中,磁场H随着在场线圈上的位置而变化,通常,其在线圈的内侧 部分、例如螺旋管的内表面或孔中较高。在此,场线圈的内侧部分被 称为高场区域(high-field region),而线圈的外侧部分,例如螺旋管的外 表面,被称为低场区域(low-field region)。用于制造场线圈的SC材料 的一个劣势在于某些材料比其它材料更耐受磁场的影响。较低耐受性 的材料也耐受较低的电流,这转化成较弱的磁场强度和较小的扭矩(对 每给定重量的SC材料而言)。
超导旋转马达的发展中的需要在于减少机器的尺寸和重量;也就 是说,对于给定的电枢绕组和场线圈的周长增加扭矩密度。在这些以 及其它机器中,由通过更耐受磁场电气构件(electrical components)而实 现的小型化所带来的实际好处包括尤其较低的制造成本。本发明公开 解决了对更耐受磁场构件的需求。
发明内容
这里公开了功能上分级的用于电气构件的超导导线,例如用于电 马达和发电机的超导场线圈。
在一个实施例中,电气构件包括超导导线,该导线包括连接在第 二导线段(wire segment)上的第一导线段;其中,第一导线段和第二导 线段在选自于包括磁场耐受性(tolerance)、温度耐受性、交流损耗和应 变耐受性等的组的至少一种特性方面是有差异的;且其中,磁场耐受 性通过处于临界温度Tc以下的给定温度T处的临界电流Ic对磁场H 的关系来测量,温度耐受性通过处于临界磁场Hc以下的给定磁场处 的临界电流Ic对温度T的关系来测量,交流损耗通过与所施加的交流 电流及场的频率及大小对应的交流损耗的量来测量(the ac loss is measured by the amount of ac loss versus the frequency and magnitude of applied ac currents and fields),而应变耐受性通过临界电流Ic随应变的 下降来测量。
在一个实施例中,形成超导场线圈的工艺(process)包括缠绕第一 导线段;将第二导线段连接到第一导线段上;并将第二导线段缠绕在 第一导线段附近,其中,第一导线段和第二导线段在选自于包括磁场 耐受性、温度耐受性、交流损耗和应变耐受性等的组的至少一种特性 方面是有差异的;且其中,磁场耐受性通过处于临界温度Tc以下的 给定温度T处的临界电流Ic对磁场H的关系来测量,温度耐受性通 过处于临界磁场Hc以下的给定磁场处的临界电流Ic对温度T的关系 来测量,交流损耗通过与所施加的交流电流及场的频率及大小对应的 交流损耗的量来测量(换句话说,交流损耗通过交流损耗的量对所施 加的交流电流及场的频率及大小来测量),而应变耐受性通过随着应 变的临界电流Ic下降来测量。
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