[发明专利]利用电可擦可编程只读存储器的缺陷表制造存储器模块的方法

权利要求书

1.一种通过部份良好存储器芯片制造部份良好存储器模块的制造方法，其特征在于包含：

接收部份已检测存储器芯片，其中所述部份已检测存储器芯片是未经过全面检测探测出全部缺陷的封装片；

通过运用于所述部份已检测存储器芯片的初步检测模式，预先检测所述部份已检测存储器芯片，其中所述初步检试模式是用于检测缺陷存储块；

计数于预先检测时通过初步检测模式探测出的缺陷存储块数量；

丢弃预先检测时缺陷存储块数量大于检测阈值的存储器芯片；

将预先检测时缺陷存储块数量小于检测阈值的存储器芯片视为部份良好存储器芯片；

对于所述部份良好存储器芯片，将所述部份良好存储器芯片焊接至存储器模块基板上，形成部份良好存储器模块；

将非挥发性存储器芯片焊接至所述部份良好存储器模块；

通过模块检测模式检测所述部份良好存储器模块定位缺陷存储器位置；

创建缺陷表，所述缺陷表用于表示通过模块检测模式由所述部份良好存储器模块中定位的缺陷存储器位置；

将所述缺陷表编程到所述非挥发性存储器芯片，形成已编程部份良好存储器模块；

将所述已编程部份良好存储器模块插入到目标检测系统上的模块检测插座；以及

通过将所述非挥发性存储器芯片的缺陷表初步复制到所述目标检测系统及通过于所述目标检测系统上初步执行检测程序，所述目标系统检测所述可编程部份良好存储器模块，所述检测程序于所述非挥发性存储器芯片产生存取访问，所述目标检测系统重新导向存取访问，以通过所述缺陷表识别所述缺陷存储器位置；

藉此，部份良好存储器芯片组成所述部份良好存储器模块，目标系统从所述部份良好存储器模块上的非挥发性存储器芯片读取所述缺陷表。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于将所述非挥发性存储器芯片的缺陷表初步复制到所述目标检测系统的步骤包含：

重新启动所述目标检测系统及于所述目标检测系统上执行启动代码，使所述目标检测系统从所述非挥发性存储器芯片中读取所述缺陷表；

藉此，所述目标检测系统于重新启动时读取所述缺陷表。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于丢弃预先检测时缺陷存储块数量大于检测阈值的存储器芯片的步骤包含：

丢弃10％以上的存储块是缺陷存储块的存储器芯片，其中所述检测阈值相当于存储器芯片上全部存储块数量的10％，每个存储块包含多重存储器单元。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于从所述非挥发性存储器芯片的缺陷表初步复制到所述目标检测系统的步骤包含：

从所述非挥发性存储器芯片读取串行数据流；

藉此，所述非挥发性存储器芯片是串行存储器。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于所述非挥发性存储器芯片是串行存在检测电可擦可编程只读存储器。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于所述部份良好存储器芯片是动态随机存取存储器。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于还包含：

将所述已编程部份良好存储器模块插入到存储器模块预烧板上的模块插座；

将所述存储器模块预烧板放入预烧炉内；

于预烧时，通过所述预烧炉加热所述已编程部份良好存储器模块，压制所述已编程部份良好存储器模块及部份良好存储器芯片，所述部份良好存储器芯片焊接于所述已编程部份良好存储器模块的存储器模块基板上；

于预烧后，从所述预烧炉移除所述存储器模块预烧板，并从所述存储器模块预烧板抽出所述已编程部份良好存储器模块，以作为已烧制存储器模块；

通过扩大检测模式，全面检测已烧制存储器模块；

其中所述扩大检测模式是用于检测所述部份良好存储器芯片的未检测可能缺陷；

藉此，部份良好存储器芯片焊接到已烧制且已全面检测的程序部份良好存储器模块。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于还包含：

于所述已烧制存储器模块应用扩大检测模式时，通过升高已烧制存储器模块的温度及电压条件，进行环境检测；

藉此，烧制已环境检测存储器模块。