[发明专利]利用电可擦可编程只读存储器的缺陷表制造存储器模块的方法

说明书

技术领域

本发明大体而言涉及存储器模块的制造。更具体而言，本发明涉及通过部份良好存储器芯片制造存储器模块。

背景技术

存储器模块广泛地应用于各种电子系统，特别是应用于个人计算机中。存储器模块是遵照工业标准制定的规则所构建，以确保广大潜在的市场。高容量生产及竞争已大幅地降低模块的成本，因而使各种电子系统的购买者受益。

存储器模块可制造成多种不同的尺寸及容量，例如旧型30支接脚(pin)及72支接脚的单列存储器模块(single-inline memory module，SIMM)以及新型168支接脚、184支接脚及240支接脚的双列存储器模块(dual inline memory module，DIMM)。这些接脚是自模块边缘所延伸的原始接脚，具有金属触板或引线，如今，大多数的模块是无引线的。小尺寸的模块的长约为3至5英寸，高约为1至1.5英寸。

模块包含小型印刷电路板(printed-circuit board，PCB)基板，尤其是指具有玻璃纤维绝热体(fiberglass insulation)及铝箔的交互迭层或金属互连层的多层板(multi-layer board)。模块表面上安装的组件，例如动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)芯片及电容，是被焊接于基板的其中一表面或双面。

图1描绘出全缓冲存储器模块。存储器模块10包含基板，例如多层印刷电路板，基板的前表面或侧边则安装表面贴装动态随机存取存储器芯片22，如图1所示，较多的动态随机存取存储器芯片22，则被安装至机板的后侧或后表面(图未绘示)。存储器模块10可为全缓冲双列存储器模块(fully-bufferd dual-inlinememory module，FB-DIMM)，通过存储器模块10上的先进存储器缓冲(AdvancedMemory Buffer，AMB)芯片(图未绘示)来达到全缓冲。先进存储器缓冲芯片使用差分信号及数据包来达到高速率传输数据。

同样地，不具有先进存储器缓冲芯片的存储器模块也会被制造。这种不具有缓冲的存储器模块通过触板12直接将地址、数据及控制信号从母板传递至动态随机存取存储器芯片22。有些存储器模块使用简单缓冲来缓冲或锁存部份信号，而不使用全缓冲双列存储器模块中较为复杂的串行数据包接口。

金属触板12沿着模块前后两面的底部边缘安置，金属触板12与模块插座相抵触，使得模块电气连接至个人计算机的母板。孔16会出现在某些种类的模块上，以确保模块正确地被安置在插座内。缺口14也用于确保模块正确地插入。安装于基板表面的电容或其它分离的组件则用于过滤来自于动态随机存取存储器芯片22的杂讯。

某些存储器模块在存储器模块基板上包含串行存在检测电可擦可编程只读存储器(serial-presence-detect electrically-erasable programmable read-onlymemory，SPD-EEPROM)。用于存储器模块的配置信息存储于串行存在检测电可擦可编程只读存储器130中，例如速率、深度及存储器模块上的存储器配置。

动态随机存取存储器芯片可具有较大的容量，例如512百万位(Mbits)或一半的10亿位(giga-bit)。大量的存储器单元、个别存储单元的小型化及整体大.面积的动态随机存取存储器芯片(die)导致某些常见的制造缺陷。动态随机存取存储器芯片在未切割及封装前，于晶片上检测，但晶片拣选检测无法发现全部的缺陷。使用探针卡接触晶片上的各个芯片则会使检测环境相当嘈杂。因此晶片拣选检测限制住检测速度，而阻碍发现更多缺陷的较详尽检测。

如此一来，某些已封装动态随机存取存储器芯片是含有缺陷的。成本有效地快速执行进一步检测已封装动态随机存取存储器芯片，将可在已封装动态随机存取存储器芯片中识别出缺陷动态随机存取存储器芯片并丢弃。然而，丢弃已封装动态随机存取存储器芯片是有点浪费的，因为通常只有一个单独的缺陷出现。例如一个缺陷可能只会导致五亿分之一个存储器单元失效。几乎五亿个存储器单元正确地工作于具有一缺陷的动态随机存取存储器芯片上，然而此芯片通常是被丢弃的。