[发明专利]硅晶片的受控边缘电阻率无效
| 申请号： | 200910004027.7 | 申请日： | 2009-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101519796A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | K·利特;Q·特兰 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 受控 边缘 电阻率 | ||
【权利要求书】：
1、一种制造硅晶片的方法，每个晶片都定义了中心、环形外边缘、邻近所述边缘的区域以及正表面，所述方法包括：
在所述晶片的所述正表面上沉积外延层，所述层具有邻近所述中心处的第一电阻率以及在邻近所述边缘的所述区域中的第二电阻率，
在沉积所述外延层的步骤期间调节至少一个工艺参数以控制所述第二电阻率，使其与所述第一电阻率相比至少改变大约2％。
2、根据权利要求1所述的方法，其中调节所述至少一个工艺参数包括采用不均匀的温度。
3、根据权利要求1所述的方法，其中调节所述至少一个工艺参数包括在所述晶片的正表面上采用工艺反应气体流量。
4、根据权利要求1所述的方法，其中所述第二电阻率与所述第一电阻率相比至少增大大约2％。
5、根据权利要求1所述的方法，其中所述第二电阻率与所述第一电阻率相比至少降低大约2％。
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