[发明专利]具有接合连接的电路装置有效
申请号: | 200910004346.8 | 申请日: | 2009-02-12 |
公开(公告)号: | CN101540313A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | M·莱德雷尔;N·瓦伦塔 | 申请(专利权)人: | 塞米克朗电子有限及两合公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/48;H01L23/12;H05K13/04;H01L29/72;H01L29/861 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 赵 科 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 接合 连接 电路 装置 | ||
技术领域
本发明描述了一种电路装置,具有衬底(Substrate)、设置在衬底 上的印制导线(Leiterbahnen)以及设置在至少一个印制导线上的至少 一个功率半导体部件(Leistungshalbleiterbauelement)。各自的功率半 导体部件借助基本上早已公知的接合连接(Bondverbindung)而与第一 印制导线导电地连接。这种类型的电路装置优选用于功率半导体模块 (Leistungshalbleitermodulen)。
背景技术
已知多种衬底变形方案,优选具有绝缘的基体,例如作为AMB (活性金属钎焊:active metal braze)衬底、DCB(直接键合铜: direct copper bonding)衬底或IMS(绝缘金属衬底:insulated metal substrate)衬底。在这些衬底的第二印制导线上,优选以材料一体 (stoffschluessig)和导电的方式设置功率半导体部件。
功率半导体部件与其它印制导线、例如第一印制导线的其它电接触 通常借助于接合连接实现,其中接合连接具有多个单独的接合线 (Bonddraehte)来用于连接负载。
由于功率半导体部件的进一步发展,其侧向延展减小,并且因此在 载流能力(Stromtragfaehigkeit)不变的情况下,功率半导体部件的面 积减小。例如具有相同极性的两个负载连接面的功率半导体部件是已知 的,相同极性的负载连接面例如是功率晶体管的发射极连接面 (Emitteranschlussflaechen)。其中,对于功率半导体部件的负荷,有 利的是为两个发射极连接面均匀地施加电流。
借助于接合连接实现的电连接的载流能力通过单个接合线的直径以 及接合线的数量来确定。因此,在从衬底的印制导线到功率晶体管的负 载连接面的接合连接中接合线的数量为奇数可能是必要的以及有意义 的。
在很多应用中,功率二极管(Leistungsdioden)的负载连接面还借 助于相同的接合连接与功率晶体管的负载连接面连接。其中,功率二极 管的负载连接面的大小可能限制每个接合连接中接合线的数量。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于提供一种电路装置,该电路装置使得 能够在接合连接中接合线的数量为奇数的情况下为功率半导体部件的相 同极性的两个负载连接面均匀地施加电流。
按照本发明,该技术问题通过具有权利要求1所述特征的电路装置 解决。优选的实施方式在从属权利要求中描述。
根据本发明的电路装置的出发点是优选为上述类型的衬底。该衬底 具有多个印制导线,其中在第二印制导线上设置至少一个第一功率半导 体部件。该至少一个功率半导体部件借助于所分配的接合连接而与第一 印制导线导电地连接。
各自的第一功率半导体部件具有相同极性的第一和第二负载连接 面。电路装置的接合连接具有奇数N个接合线,其中N-1个接合线中一 半的接合线从衬底的第一印制导线延伸到第一负载连接面。这N-1个接 合线中另一半的接合线从该第一印制导线延伸到第二负载连接面。根据 本发明,第N个从第一印制导线出发的连接线在第一负载连接面以及第 二负载连接面上都具有至少一个接合脚(Bondfuss),并且因此与两个 负载连接面导电地连接。
通过该结构,可以均匀地为两个负载连接面施加电流,并且因此均 匀地为整个功率半导体部件施加电流。为了即使在运行于功率半导体部 件的功率极限时也获得功率半导体部件的完全效率,这是必要的。
附图说明
该电路装置的特别优选的扩展方式在对实施例的相应描述中提到。 另外,借助于图1至图3的实施例进一步解释本发明的方案。
图1示出了根据本发明的第一电路装置。
图2示出根据本发明的电路装置的功率半导体部件的接合连接的接 合线的设置。
图3示出根据本发明的第二电路装置。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于塞米克朗电子有限及两合公司,未经塞米克朗电子有限及两合公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910004346.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类