[发明专利]半导体装置及其制造方法、电路基板和电子设备

说明书

本申请是下述申请的分案申请，发明名称为“半导体装置及其制造 方法、电路基板和电子设备”、申请日为1997年12月4日、申请号为 200710137945.8。

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法、电路基板和电子设备， 特别是，涉及封装尺寸接近芯片尺寸的半导体装置及其制造方法、电 路基板和电子设备。

追求半导体装置高密度封装时，裸片封装是理想的。可是，裸片 难以保证产品质量和处理。所以，已开发出了接近芯片尺寸的封装CSP (chip scale package)。

在以各种方案开发的CSP型的半导体装置中，作为一种方案，有 在半导体芯片的有源面一侧上设置已制成图形的挠性基板，并在该挠 性基板上形成多个外部电极的方案。另外，大家还知道，在半导体芯 片的有源面与挠性基板之间注入树脂，以期吸收热应力。

但是，在只用树脂不能充分吸收热应力的场合下，其它办法才必 要。

本发明就是解决上述这一课题的，其目的在于提供一种封装尺寸 接近芯片尺寸，除所谓应力吸收层之外，能有效地吸收热应力的半导 体装置及其制造方法、电路基板和电子设备。

本发明的半导体装置的制造方法，具有：

准备已形成电极的圆片的工序；

避开上述电极的至少一部分在上述圆片上设置第1应力缓冲层的 工序；

从上述电极起直到上述第1应力缓冲层上形成第1导通部的工序；

在上述第1应力缓冲层的上边形成与上述第1导通部连接的外部 电极的工序；以及

将上述圆片切断成各个小片的工序；

以设置上述第1应力缓冲层的工序和形成上述第1导通部工序中 的至少一个工序，形成使应力缓和增大的构造。

根据本发明，由于在应力缓冲层上形成导通部和外部电极，故不 需要预先设置外部电极和已制成图形的薄膜等的基板。

并且，连接电极与外部电极的导通部，由于可根据设计自由形成， 故可以不管电极的配置而决定外部电极的配置。因而，即使不改变圆 片上形成的器件的电路设计，也能简单地制造外部电极位置不同的各 种半导体装置。

进而，根据本发明，由于在圆片上形成应力缓冲层、导通部和外 部电极，所以可切断圆片得到各个半导体装置。因此，由于同时进行 对许多半导体装置的应力缓冲层、导通部和外部电极的形成，故可以 简化制造工序。

作为使上述应力缓和增强的构造，也可以在上述第1应力缓冲层 表面上形成凹部，并形成上述第1导通部，使其通过上述凹部的上边。

这样，由于对应力缓冲层的表面向交叉方向弯曲而形成导通部， 所以能以弯曲状态变化来吸收应力，防止断线。

作为增强上述应力缓和的构造，也可以在形成上述第1导通部的 工序中，在上述第1应力缓冲层上的平面方向弯曲形成上述第一导通 部。

还可以包括在位于上述凹部的上述第1导通部上填充弹性体的工 序。用该弹性体进一步吸收应力。

还可以包括在形成了上述第1导通部的上述第1应力缓冲层上， 设置第2应力缓冲层和与上述第1导通部连接的第2导通部的工序。

这样以来，将应力缓冲层形成为多级，容易使应力进一步分散。

也可以把上述第1导通部和上述第2导通部之中的至少1个导通 部形成具有比厚度还大的平面扩展的面状。

这样以来，由于在面状的接地电位附近传输信号，故变成理想的 传送通路。

在形成了上述第1导通部的上述第1应力缓冲层的上边，设置第2 应力缓冲层和第2导通部；

在形成了上述第2导通部的上述第2应力缓冲层的上边，设置第3 应力缓冲层和第3导通部；

将上述第2导通部形成线状，并将上述第1和第3导通部形成面 状，使其具有比上述第2导通部还大的平面扩展。

这样以来，由于将线状形成的第2导通部，夹在一对面状的导通 部中间，故做成为以接地的布线覆盖周围。这样一来，得到与同轴电 缆同样的构造，经过第2导通部的信号就变得难以受噪音的影响。

也可以夹着上述第一导通部平行地形成成为接地电位的一对布 线。这样以来，由于形成线状的第一导通部用一对布线夹着，做成以 接地的布线覆盖周围。这样，就得到与同轴电缆同样的结构，信号就 变得难以受噪音的影响。

本发明的半导体装置，具有：