[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法无效
| 申请号： | 200910004581.5 | 申请日： | 2009-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101546695A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 藤原邦夫;细川章宏;寺岛幸三;大泽笃史 | 申请（专利权）人： | 大日本网屏制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311;H01L21/306;H01L21/3213;B08B3/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东;马少东 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置，通过将多个基板浸渍在处理液中，对多个基板进 行处理，其特征在于，具有：
处理槽，其用于存积处理液；
保持部，其在所述处理槽的内部保持多个基板；
一对喷嘴，其配置在所述处理槽的底部附近，从沿保持在所述保持部上 的多个基板的排列方向排列的多个喷出孔朝向所述处理槽的底板的上表面喷 出处理液；
处理液排出部，其排出从所述处理槽的上部溢出的处理液；
所述一对喷嘴沿形成在所述处理槽的侧壁上的凹部配置，
所述多个喷出孔的喷出方向被设定为相对于所述底板的上表面的法线而 向所述处理槽的内侧方向呈5°以上且40°以下的角度。
2.如权利要求1所记载的基板处理装置，其特征在于，
所述一对喷嘴分别是形成有所述多个喷出孔的管状构件，
所述多个喷出孔的每一个的开口直径为0.5mm以上且1.5mm以下。
3.如权利要求1所记载的基板处理装置，其特征在于，
所述多个喷出孔配置在与保持于所述保持部的多个基板的间隙以及配置 在两端部的基板的外侧相对应的位置处。
4.如权利要求1～3中任一项所记载的基板处理装置，其特征在于，
还具有向所述保持部与多个基板的抵接位置喷出处理液的另外一对喷 嘴。
5.一种基板处理方法，通过将多个基板浸渍在处理液中，从而对多个基 板进行处理，其特征在于，包括：
第一工序，将多个基板浸渍在存积于处理槽内部的处理液中，
第二工序，从沿着在所述处理槽的底部附近且在所述处理槽的侧壁上形 成的凹部配置的喷嘴的沿多个基板的排列方向排列的多个喷出孔，向所述处 理槽的底板的上表面喷出处理液；
在所述第二工序中，以相对于所述底板的上表面的法线向所述处理槽的 内侧方向呈5°以上且40°以下的角度，喷出处理液，形成沿着所述处理槽的 所述底板的液流和朝向所述凹部的液流。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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