[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及通过将半导体基板、液晶显示装置用玻璃基板、光掩膜用玻璃基板等基板浸渍在处理液中而对基板进行清洗、蚀刻等处理的基板处理装置以及基板处理方法。 

背景技术

在半导体的制造工序中使用所谓的批次式的基板处理装置，即通过将多个基板浸渍在处理槽中所存积的处理液中，一并处理多个基板。图19是表示以往的基板处理装置的例子的纵向剖视图。如图19所示，以往的基板处理装置100具有存积处理液的处理槽110和在处理槽110内部保持多个基板W的升降机120。基板处理装置100通过从配置在处理槽110底部的一对喷嘴114向处理槽10内喷出处理液，使处理液从处理槽110的上部溢出，来向保持在升降机120上的多个基板W的表面供给处理液，对基板W进行处理。 

关于这样的批次式的基板处理装置，例如在专利文献1、2中被公开。 

专利文献1：JP特开2007-36189号公报； 

专利文献2：JP特开2007-266360号公报。 

在以往的基板处理装置100中，从一对喷嘴114喷出的处理液在处理槽110的中心附近合流，形成朝向处理槽110上方的液流F1。但是，构成液流F1的处理液并未全部到达处理槽110的上部，其中一部分变换方向而从侧方朝向下方，再次形成朝向处理槽110底部的液流F2。由此，在处理槽110内部形成处理液循环的区域(循环区域)CA。 

若这样的循环区域CA大，则难以高效地从处理槽110排出处理液，颗粒和应排出的成分可能长时间滞留在处理槽110的内部。 

另一方面，在批次式的基板处理装置100中，还存在下述的要求，即，要使处理液良好地流入排列保持在升降机120上的多个基板W的间隙中。 

发明内容 

本发明是鉴于这样的情况而提出的，其目的在于提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够缩小形成在处理槽内部的处理液的循环区域，提高处理液的置换效率，并且使处理液很好地流入到多个基板的间隙中。 

为解决上述问题，第一技术方案的发明为一种通过将多个基板浸渍在处理液中来处理多个基板的基板处理装置，其特征在于，具有：处理槽，其用于存积处理液；保持部，其在所述处理槽的内部保持多个基板；一对喷嘴，其配置在所述处理槽的底部附近，从沿保持在所述保持部上的多个基板的排列方向排列的多个喷出孔朝向所述处理槽的底板的上表面喷出处理液；处理液排出部，其排出从所述处理槽的上部溢出的处理液；所述多个喷出孔的喷出方向被设定为相对于所述底板的上表面的法线而向所述处理槽的内侧方向呈5°以上且40°以下的角度。 

第二技术方案的发明是如第一技术方案所记载的基板处理装置，其特征在于，所述一对喷嘴分别是形成有所述多个喷出孔的管状构件，所述多个喷出孔的每一个的开口直径为0.5mm以上且1.5mm以下。 

第三技术方案的发明是如第一技术方案所记载的基板处理装置，其特征在于，所述一对喷嘴沿形成在所述处理槽的侧壁上的凹部配置。 

第四技术方案的发明是如第一技术方案所记载的基板处理装置，其特征在于，所述多个喷出孔配置在与保持于所述保持部的多个基板的间隙以及配置在两端部的基板的外侧相对应的位置处。 

第五技术方案的发明是如第一至第四技术方案中的任意一项所记载的基板处理装置，其特征在于，还具有向所述保持部与多个基板的抵接位置喷出处理液的另外一对喷嘴。 

第六技术方案的发明是一种通过将多个基板浸渍在处理液中来处理多个基板的基板处理方法，其特征在于，第一工序，将多个基板浸渍在存积于处理槽内部的处理液中，第二工序，从沿着在所述处理槽的底部附近且在所述处理槽的侧壁上形成的凹部配置的喷嘴的沿多个基板的排列方向排列的多个喷出孔，向所述处理槽的底板的上表面喷出处理液；在所述第二工序中，以相对于所述底板的上表面的法线向所述处理槽的内侧方向呈5°以上且40°以下的角度，喷出处理液，形成沿着所述处理槽的所述底板的液流和朝向所述凹部的液流。