[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一导电类型区，形成在所述半导体衬底的上部中，并且具有第一导电类型；

第二导电类型区，形成在所述半导体衬底的上部中，与所述第一导电类型区接触，并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；

半掩埋介电膜，设置在所述第二导电类型区的正上方，具有掩埋在所述半导体衬底中的下部，且具有从所述半导体衬底的上表面突出的上部，

所述第二导电类型区和所述半掩埋介电膜接触所述第一导电类型区且使得所述第一导电类型区与这样的区域隔离，该区域跨过所述第二导电类型区在所述第一导电类型区的相对侧且与所述第二导电类型区接触；以及

元件隔离膜，其具有掩埋在所述半导体衬底中的下部，具有从所述半导体衬底的所述上表面突出的上部，并且其下表面位于所述半掩埋介电膜的下表面下方。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中

所述半导体器件是图像采集器件，所述图像采集器件包括配置为将入射光转换成电信号的成像区和配置为处理所述电信号的处理区，

所述第一导电类型区构成设置于所述成像区中的光电二极管，以及

所述元件隔离膜使得设置于所述处理区中的元件彼此隔离。

3.根据权利要求2的半导体器件，还包括：

第二导电类型的反转层，形成在所述第一导电类型区的上部中；以及

晶体管，具有与所述第二导电类型区和所述半掩埋介电膜接触的源极/漏极区，

其中所述半掩埋介电膜的所述下表面位于：

在其中沿所述反转层的深度在杂质浓度分布中杂质浓度最大的位置下方； 

在其中沿所述源极/漏极区的深度在杂质浓度分布中杂质浓度最大的位置下方；以及

在其中沿所述第一导电类型区的深度在杂质浓度分布中杂质浓度最大的位置上方。

4.根据权利要求1的半导体器件，其中平行于所述半导体衬底的所述上表面且从所述半掩埋介电膜的外边缘指向其中心的方向与平行于所述半掩埋介电膜的侧表面的向下方向所成的角度为73°至90°。

5.根据权利要求1的半导体器件，还包括：

缓冲介电膜，覆盖所述半掩埋介电膜的所述下部，且由与所述半掩埋介电膜的材料不同的介电材料形成，

其中所述半掩埋介电膜由氧化硅形成，且所述缓冲介电膜由氮化硅形成。

6.根据权利要求5的半导体器件，其中

所述半导体器件是图像采集器件，所述图像采集器件包括配置为将入射光转换成电信号的成像区和配置为处理所述电信号的处理区，

所述第一导电类型区构成设置于所述成像区中的光电二极管，以及

所述元件隔离膜使得设置于所述处理区中的元件彼此隔离。

7.根据权利要求6的半导体器件，还包括：

第二导电类型的反转层，形成在所述第一导电类型区的上部中；以及

晶体管，具有与所述第二导电类型区和所述半掩埋介电膜接触的源极/漏极区，

其中所述半掩埋介电膜的所述下表面位于：

在其中沿所述反转层的深度在杂质浓度分布中杂质浓度最大的位置下方；

在其中沿所述源极/漏极区的深度在杂质浓度分布中杂质浓度最大的位置下方；以及

在其中沿所述第一导电类型区的深度在杂质浓度分布中杂质浓度最大的位置上方。 

8.根据权利要求6的半导体器件，其中平行于所述半导体衬底的所述上表面且从所述半掩埋介电膜的外边缘指向其中心的方向与平行于所述半掩埋介电膜的侧表面的向下方向所成的角度为73°至90°。