[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

第一工序，所述第一工序在形成有栅电极的半导体衬底上形成抑制因 杂质的注入而引起的缺陷增加的缺陷抑制膜；

第二工序，所述第二工序通过从所述缺陷抑制膜上注入所述杂质而在 所述半导体衬底表面形成元件活性区域；

第三工序，所述第三工序除去所述缺陷抑制膜；以及

第四工序，所述第四工序在所述元件活性区域上形成抑制所述元件活 性区域的界面准位上升的界面准位抑制膜，

所述缺陷抑制膜与所述界面准位抑制膜相比能够抑制所述缺陷的增 加，

所述界面准位抑制膜与所述缺陷抑制膜相比能够抑制所述界面准位 的上升，并且

所述第四工序包括通过将氧化膜堆积于所述半导体衬底上，然后在氧 气环境下对所述氧化膜进行退火而形成所述界面准位抑制膜的工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，还包括：

第五工序，所述第五工序将所述元件活性区域上的所述界面准位抑制 膜的一部分形成开口；

第六工序，所述第六工序通过对所述形成开口的所述元件活性区域的 所述半导体衬底表面进行金属化而形成金属化合物膜；

第七工序，所述第七工序在所述金属化合物膜上形成应力缓和膜；以 及

第八工序，所述第八工序在所述界面准位抑制膜上形成防湿膜。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述应力缓和膜形成为与所述界面准位抑制膜和所述防湿膜相接。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述半导体衬底形成有接合型晶体管和场效应晶体管，

所述第二工序包括：

注入用于形成所述场效应晶体管的源极区域及漏极区域的杂质的工 序；以及

注入用于形成所述接合型晶体管的发射极区域及集电极区域和基极 区域中的任一区域的杂质的工序。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第一工序包括通过将硅氮化膜堆积于所述半导体衬底上而形成 所述缺陷抑制膜的工序。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第三工序包括利用湿式蚀刻除去形成于所述半导体衬底上的所 述缺陷抑制膜的工序。

7.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述半导体衬底上形成有接合型晶体管和场效应晶体管，

所述第五工序包括将形成于所述半导体衬底上的界面准位抑制膜中 所述接合型晶体管的元件活性区域上的一部分形成开口、并且将形成于所 述场效应晶体管表面上的部分除去的工序。

8.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第七工序包括通过将硅氧化膜堆积于所述金属化合物膜的表面 上及所述界面准位抑制膜的表面上而形成所述应力缓和膜的工序。

9.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第八工序包括通过将硅氮化膜堆积于所述应力缓和膜的表面上 而形成所述防湿膜的工序。