[发明专利]一种晶舟

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶舟。

背景技术

目前，高温氧化炉管运送晶片的方式为批量进行，每批150片，放置于垂直的晶舟1上，图1所示为晶舟1的各视图，其中图1(a)是晶舟1的俯视图，图1(b)是沿图中所示X方向看到的晶舟1的侧视图；图1(c)是沿图中所示Y方向看到的晶舟1的侧视图；图1(d)是本晶舟1的后视图，图1(d)中的四个方块31、32、33、34分别对应图1(a)中的四个圆形31、32、33、34，表示的是晶舟的晶棒3。图1(a)中标号2所示的是用于将晶片放置于晶舟中所用的传送装置，其具体形状如图2所示，同时晶舟上设有插入口9，以便传送装置能够由此插入晶舟1。图1(c)中标号4所示的是被运送的晶片。将晶片4放置于晶舟1后，晶舟1上升至反应室5中进行反应，反应室5如图3所示。

晶舟1上升至反应室5的过程如图4所示。由于承载晶片4的晶舟1在上升过程中受到温度(反应室内外温差)和上升速度的影响，使得晶片4产生一定的形变，从而与晶舟1的晶棒3的接触点产生位移，从而摩擦导致颗粒的产生。

图5所示是晶片发生形变和晶棒颗粒的原理图，当晶片4随着晶舟1进入到反应室5中时，在靠近入口处，晶片4受到炉管内的辐射热的作用，如图5(b)中箭头所示，且辐射热射到下面的晶片4时，晶片4的表面会将热量进行反射，反射到上面的晶片4上，上面的晶片4的下表面再次反射，如此反复，每个晶片4的上下表面都受到强热辐射，使得晶片4的中部向上弯曲变形；在进入到炉管内部时，上述辐射更加强烈，如图5(c)所示，晶片4的向上变形也更加明显。因为晶片4受热变形，晶片4两端与晶舟1上的晶棒3接触的端部将产生位移，此位移将导致晶片4产生颗粒。

目前垂直高温氧化炉管颗粒问题主要是一种特殊形状的颗粒，在晶舟固定位置(3点/5点/7点/9点附近)出现聚积状颗粒，称为“类晶舟”颗粒，图6所示是“类晶舟”颗粒的示意图，经统计知其发生率大概为1.88％。

发明内容

本发明的目的在于克服上述问题，提供一种晶舟。

本发明所述的一种晶舟包含：顶板；底板；固定于上述顶板和底板之间的三个晶棒，且上述三个晶棒的分布呈圆形；上述多个晶棒上形成有多个槽，且不同晶棒上的各槽的高度分别对应相等，形成用以水平支撑晶片的支撑部；以及插入口，通过上述插入口将晶片送入上述晶舟内，上述插入口与上述各支撑部位于同一高度。

上述呈圆形地分布的三个晶棒分别是第一、第二和第三晶棒，其中第一、第二晶棒位于所在圆形的同一直径上，第三晶棒位于与上述直径的夹角为30～150度的直径上。

上述呈圆形地分布的晶棒是三个，其中第一、第二晶棒位于所在圆形的同一直径上，第三晶棒位于垂直于上述直径的直径上。

上述插入口的中心位于上述第三晶棒所在直径与上述圆形的另一交点处。

上述晶棒的截面是圆形、半圆形、椭圆形、三角形中的一种。

上述晶棒的截面是圆形。

本发明可以有效地改善“类晶舟”颗粒，而且本发明通过减少晶棒的数目使得热量更能均匀的分布在晶片表面，从而间接地改善了晶片的受热均匀度。

附图说明

图1(a)是现有晶舟的俯视图；

图1(b)是图1(a)中的晶舟沿X向的侧视图；

图1(c)是图1(a)中的晶舟沿Y向的侧视图；

图1(d)是图1(a)中的晶舟的后视图；

图2是晶片传送装置的示意图；

图3是反应室的示意图；

图4是晶舟上升至反应室的过程示意图；

图5是晶片产生形变和晶棒颗粒的原理图；

图6是“类晶舟”颗粒的示意图；

图7(a)是本发明的优选实施例的俯视图；

图7(b)是图7(a)中的晶舟沿Y向的侧视图。

具体实施方式

下面结合具体实施例，对本发明所述的一种晶舟作进一步的详细说明。

本发明的晶舟具有顶板7、底板8、以及固定于该顶板和底板之间的晶棒3，并在晶棒上形成有多个槽，各晶棒上的槽的高度分别对应相等，从而在各槽之间形成支撑部，用以水平地支撑晶片4，其中，上述晶棒3具有两个以上，在本发明的优选实施例中是三个，且他们呈圆筒状地配置，如图7中35、36、37所示，晶片4由传送装置2承载并通过插入口9从上述晶棒3的槽插入，通过呈圆形设置的各支撑部沿着支撑着。上述传送装置2的插入口9与上述支撑部的位置位于同一高度。