[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910005616.7 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101533815A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 山田茂 | 申请（专利权）人： | OKI半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;李 伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体基板；
电极层，其配置在所述半导体基板的第一主面上；
绝缘层，其配置在所述半导体基板的第一主面上，具有使所述电极层的一部分露出的开口部；
贯通口，其从所述半导体基板的第二主面在厚度方向贯通，使所述电极层的一部分露出，其开口直径比所述开口部的开口直径大，并且开口边缘位于比所述开口部的开口边缘更靠外侧；
玻璃基板，其粘贴在绝缘层上。
2.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体基板的第一主面上形成电极层的工序；
在形成了所述电极层的半导体基板的第一主面上，覆盖该电极层形成绝缘层的工序；
在所述绝缘层形成使所述电极层的一部分露出的开口部的工序；
从所述半导体基板的第二主面在厚度方向贯通，形成使所述电极层的一部分露出的贯通口，该贯通口的开口直径比所述开口部的开口直径大，且开口边缘位于比所述开口部的开口边缘更靠外侧的工序；
在绝缘层上粘贴玻璃基板的工序。
3.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体基板；
电极层，其配置在所述半导体基板的第一主面上；
绝缘层，其配置在所述半导体基板的第一主面上，具有使所述电极层的一部分露出的开口部；
贯通口，其从所述半导体基板的第二主面在厚度方向贯通，使所述电极层的一部分露出，该贯通口配置在与所述开口部不重叠的位置；
玻璃基板，其粘贴在绝缘层上。
4.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体基板的第一主面上形成电极层的工序；
在形成了所述电极层的半导体基板的第一主面上，覆盖该电极层形成绝缘层的工序；
在所述绝缘层形成使所述电极层的一部分露出的开口部的工序；
从所述半导体基板的第二主面在厚度方向贯通，形成使所述电极层的一部分露出的贯通口，该贯通口位于与所述开口部不重叠的位置的工序；
在绝缘层上粘贴玻璃基板的工序。
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