[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及CMOS传感器、CCD传感器等图像传感器用半导体器件 封装或照度传感器、UV传感器等各种传感器用半导体器件封装、半导体 芯片层叠(存储器、存储器+逻辑)封装等半导体器件及其制造方法。

背景技术

近年，称作CSP(芯片尺寸封装)，从半导体基板的背面侧形成贯通 过孔(贯通口)，使在半导体基板表面所形成的焊盘电极露出，从通过该 过孔露出的焊盘电极开始形成布线，并取得导通，在半导体基板背面侧设 置外部端子的半导体器件(例如参照专利文献1)。

在这样的半导体器件中，一般在半导体基板表面用钝化膜(绝缘层) 覆盖。钝化膜也覆盖焊盘电极，但是为了电特性检查或其他电连接的形成， 使电极层的一部分露出地除去钝化膜，形成开口部。

专利文献1：日本特开2006-128171

可是，在所述以往的半导体器件中，焊盘电极的厚度非常薄(例如1～3 μm)，所以耐应力弱，在对半导体器件作用物理冲击等力时，在贯通过孔 的周围焊盘电极发生裂缝，存在无法取得电特性的问题。

发明内容

因此，本发明的课题在于，提供一种抑制通过设置在半导体基板上贯 通口而露出的电极层发生裂缝的半导体器件及其制造方法。

所述课题由以下的方法解决。

即本发明的第一半导体器件的特征在于，包括：

半导体基板；

电极层，其配置在所述半导体基板的第一主面上；

绝缘层，其配置在所述半导体基板的第一主面上，具有使所述电极层 的一部分露出的开口部；

贯通口，其从所述半导体基板的第二主面在厚度方向贯通，使所述电 极层的一部分露出，其开口直径比所述开口部的开口直径大，并且开口边 缘位于比所述开口部的开口边缘更靠外侧。

本发明的第一半导体器件的制造方法的特征在于，包括：

在半导体基板的第一主面上形成电极层的工序；

在形成所述电极层的半导体基板的第一主面上，覆盖该电极层形成绝 缘层的工序；

在所述绝缘层形成使所述电极层的一部分露出的开口部的工序；

从所述半导体基板的第二主面在厚度方向贯通，形成使所述电极层的 一部分露出的贯通口，该贯通口的开口直径比所述开口部的开口直径大， 且开口边缘位于比所述开口部的开口边缘更靠外侧的工序。

本发明的第二半导体器件的特征在于，包括：

半导体基板；

电极层，其配置在所述半导体基板的第一主面上；

绝缘层，其配置在所述半导体基板的第一主面上，具有使所述电极层 的一部分露出的开口部；

贯通口，其从所述半导体基板的第二主面在厚度方向贯通，使所述电 极层的一部分露出，该贯通口配置在与所述开口部不重叠的位置。

第二本发明的半导体器件的制造方法的特征在于，包括：

在半导体基板的第一主面上形成电极层的工序；

在形成了所述电极层的半导体基板的第一主面上，覆盖该电极层形成 绝缘层的工序；

在所述绝缘层形成使所述电极层的一部分露出的开口部的工序；

从所述半导体基板的第二主面在厚度方向贯通，形成使所述电极层的 一部分露出的贯通口，该贯通口位于与所述开口部不重叠的位置的工序。

根据本发明，能提供一种半导体器件及其制造方法，其看抑制通过设 置在半导体基板上贯通口而露出的电极层发生裂缝。

附图说明

图1是第一实施方式的半导体器件的概略俯视图。

图2是图1的A-A概略剖面图。

图3是表示第一实施方式的半导体器件的制造工序的工序图。

图4是表示在第一实施方式的半导体器件的制造工序中，在硅片(硅 基板)配置焊盘电极的情形的概略立体图。

图5是表示在第一实施方式的半导体器件的制造工序中，在硅片(硅 基板)配置具有开口部的钝化膜的情形的概略立体图。

图6是表示在第一实施方式的半导体器件的制造工序中，在硅片(硅 基板)配置贯通过孔的情形的概略立体图。

图7是第一实施方式的半导体器件的概略俯视图。

图8是图7的A-A概略剖面图。

图9是表示第一实施方式的半导体器件的制造工序的工序图。