[发明专利]存储装置、位线预充电电路及位线预充电方法

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于，包括：

一存储单元；

一箝位晶体管，具有一第一端、一第二端及一控制端，该第二端耦合于该存储单元；

一第一反相器，具有一输入端及一输出端，该输入端电性连接于该箝位晶体管的该第二端，该输出端电性连接于该箝位晶体管的该控制端；

一位线，电性连接于该箝位晶体管的该第二端以及该第一反相器的该输入端，该位线具有一位线电压；

一预充电路径，电性连接于该箝位晶体管的该第一端，其连接节点处具有一检测电压；以及

一侦测控制器，电性连接于该箝位晶体管的该第一端以及该预充电路径，该侦测控制器是用以侦测该检测电压，并当该检测电压位于一第一低电平时开启该预充电路径以提升该位线电压，且当该检测电压位于一第一高电平时关闭该预充电路径；

其中，该预充电路径为一电流源电路，该电流源电路包括：

一第一PMOS晶体管，具有一源极、一栅极及一漏极，该源极电性连接于一高电压源，该第一PMOS晶体管具有一第一宽长比；

一第二PMOS晶体管，具有一源极、一栅极及一漏极，该源极电性连接于该高电压源，该栅极电性连接于本身的该漏极以及该第一PMOS晶体管的该栅极，该第二PMOS晶体管具有一第二宽长比，且该第一宽长比为该第二宽长比的M倍；

一第三PMOS晶体管，具有一源极、一栅极及一漏极，该源极电性连接于该第一PMOS晶体管的该漏极，该栅极电性连接于该侦测控制器，该栅极上具有一控制电压，该漏极电性连接于该箝位晶体管的该第一端；以及

一参考电流源，具有一输入端及一输出端，该输入端电性连接于该第二PMOS晶体管的该漏极，该输出端电性连接于一低电压源，该参考电流源用以提供一参考电流； 

其中，当该控制电压位于一第二低电平时，该第三PMOS晶体管断开以关闭该预充电路径，而当该控制电压位于一第二高电平时，该第三PMOS晶体管导通以开启该预充电路径，藉以提供M倍的该参考电流至该箝位晶体管。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，其中该箝位晶体管的该第一端进一步经由一负载而电性连接于一高电压源，且该箝位晶体管的该第二端进一步经由该存储单元而电性连接于一低电压源。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，其中该侦测控制器包括：

一第四PMOS晶体管，具有一源极、一栅极及一漏极，该源极电性连接于一高电压源，该栅极受控于一致能信号；

一第二NMOS晶体管，具有一漏极、一栅极及一源极，该漏极电性连接于该第四PMOS晶体管的该漏极，该源极电性连接于一低电压源；

一缓冲器，具有一输入端及一输出端，该输入端电性连接于该箝位晶体管的该第一端，该输出端电性连接于该第二NMOS晶体管的该栅极；

一第二反相器，具有一输入端及一输出端，该输入端电性连接于该第四PMOS晶体管的该漏极以及该第二NMOS晶体管的该漏极，该输出端电性连接于该电流源电路；以及

一第三反相器，具有一输入端及一输出端，该输入端电性连接于该电流源电路以及该第二反相器的该输出端，该输出端电性连接于该第二反相器的该输入端、该第四PMOS晶体管的该漏极以及该第二NMOS晶体管的该漏极。

4.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于，该箝位晶体管的该控制端进一步电性连接于一第一补偿电路，用以增加该箝位晶体管的通道宽度，使得该箝位晶体管的该控制端与该第二端之间的一电压在该预充电路径被开启与关闭时均相同；其中，该第一补偿电路包括：

一第三NMOS晶体管，具有一漏极、一栅极及一源极，该漏极电性连接于该箝位晶体管的该第一端，该栅极电性连接于该箝位晶体管的该控制端，该第三NMOS晶体管具有一第三宽长比；以及

一第五PMOS晶体管，具有一源极、一栅极及一漏极，该源极电性连 接于该第三NMOS晶体管的该源极，该栅极受控于该控制电压，该漏极电性连接于该位线；

其中，该第三宽长比为该箝位晶体管的宽长比的M-1倍。