[发明专利]微影装置及微影装置的平衡晶片的方法有效
申请号: | 200910005758.3 | 申请日: | 2009-02-06 |
公开(公告)号: | CN101655668A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 周世翔;邓国星;郭养国 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王玉双;黄 艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 平衡 晶片 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种微影装置,特别涉及一种微影工艺中平衡半导体晶片的 方法。
背景技术
于半导体晶片上制作集成电路运用到许多的技术,其中使用紫外线的光 学投影微影工艺是制作半导体常用的技术。投影微影技术会使用比集成电路 大数倍的光罩,电路图案经由光罩投射于半导体晶片上。
图1A~1C示出了一现有SUSS曝光机的平衡机制。请参照图1A,此现 有的SUSS曝光机使用楔形误差补偿技术(wedge error compensation,WEC) 平衡晶片102,其包括设置于夹盘108上直径大体上为2mm的小球106,如 图1B所示,在晶片102设置于夹盘108上后,机台将夹盘108上升,直到 小球106接触光罩104,以平衡晶片102,并确定光罩104和晶片102是彼 此互相平行。之后,请参照图1C,夹盘108向下降并再上升一次以进行曝 光程序。然而,此种平衡晶片102的方法具有以下缺点:请参照图1D,在 曝光的相关工艺中,晶片102上涂布一层光阻,当光阻不是涂布的很均匀或 有微粒110掉落在晶片102上时,此种平衡晶片102的方法会造成光阻或微 粒110沾黏在光罩104上,而此种现有的技术无法解决上述的问题。
此外,当半导体组件的集成电路的线宽越来越小时,使用小球106进行 平衡的技术的精确度(mm的层级)并不能满足组件工艺的需求(现今一般为 10μm)。因此,业界需要一新的平衡晶片的方法和相关的微影设备。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供一种微影装置的平衡晶片的方法,包括 以下步骤:将一晶片放置于微影装置中,且晶片被一夹盘支撑;使用至少三 个影像撷取组件,撷取晶片上对应影像撷取组件的对准记号;及依检查所述 影像撷取组件所撷取的该晶片上的对准记号的清晰度是否超过一程度,若所 述影像撷取组件所撷取的该晶片上的对准记号的清晰度没有超过该程度,调 整该夹盘以平衡该晶片,当所述影像撷取组件所撷取的该晶片上的对准记号 的清晰度超过该程度时,停止调整该夹盘。
本发明还提供一种微影装置,包括:用以支撑一晶片的夹盘;及用以撷 取晶片上的对准记号的至少三个影像撷取组件,其以三角的方式分别设置于 夹盘的三个角落,其中所述影像撷取组件是用做判断该晶片是否平衡。
通过本发明,不需要将平衡球装设在WEC单元上接触光罩,如此当晶 片或晶片上的层均匀度不佳,或当微粒掉落在晶片上时,并不会产生沾黏的 现象,且由于摄影机的焦距是μm等级,本发明相对于现有技术而言,有较 佳的精确度和敏感度。
附图说明
为了让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂,以下配合附图, 作详细说明如下:
图1A~1D示出了一现有SUSS曝光机的平衡机制。
图2A~2B示出了本发明一实施例微影工艺中平衡半导体晶片208的方 法。
图2C示出了摄影机排列的概示平面图。
其中,附图标记说明如下:
102~晶片; 104~光罩;
106~小球; 108~夹盘;
110~微粒; 202~摄影机;
204~光罩; 206~对准记号;
208~晶片; 210~对准记号。
具体实施方式
图2A~2B示出了本发明一实施例微影工艺中平衡半导体晶片208的方 法。首先,请参照图2A和图2C,其中图2C示出了摄影机(camera)202排列 的概示平面图,至少三个摄影机202设置于微影装置中的光罩204和晶片208 上方,特别是上述三个摄影机202以三角的方式分别设置于夹盘(未示出)的 三个角落。在预备进行曝光工艺时,将光罩204置入微影装置中,且使用摄 影机202寻找光罩204上对准记号206的位置,进行对准光罩204的步骤。 之后,请参照图2B,将光罩204移开,随后将晶片208置入。本实施例使 用摄影机202搜寻晶片208上对准记号210的位置,进行对准晶片208的步 骤,此外,本实施例根据摄影机202捕捉到晶片208上对准记号210的焦距 (或清晰度)进行平衡晶片208的步骤。在本发明另一实施例可根据摄影机202 捕捉到晶片208上对准记号210的位置和焦距,同时对晶片208进行对准和 平衡的步骤。以下将详细描述平衡夹盘上的晶片208的步骤。
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