[发明专利]切割/芯片焊接膜

权利要求书

1.一种具备切割膜和芯片焊接膜的膜，具备：在基材上具有放射线固化型粘合剂层的切割膜、和设置于该粘合剂层上的芯片焊接膜，其中，

所述粘合剂层中的粘合剂含有丙烯酸类聚合物，

所述丙烯酸类聚合物含有作为主要单体的由CH₂＝CHCOOR表示的丙烯酸酯和相对于所述丙烯酸酯含量为10～30摩尔％且与所述丙烯酸酯可共聚的含羟基单体，式中，R是碳原子数为6～10的烷基，

所述丙烯酸类聚合物的重均分子量在35万～100万的范围内，

所述丙烯酸类聚合物的酸值为0.01～1，碘值在5～10的范围内，

且所述粘合剂含有在分子中具备2个以上对羟基显示反应性的官能团的交联剂。

2.如权利要求1所述的具备切割膜和芯片焊接膜的膜，其中，所述丙烯酸类聚合物的羟值在7～30的范围内。

3.如权利要求1所述的具备切割膜和芯片焊接膜的膜，其中，由所述CH₂＝CHCOOR表示的单体，相对于全部单体成分，其含量在50～91摩尔％的范围内，式中，R是碳原子数为6～10的烷基。

4.如权利要求1所述的具备切割膜和芯片焊接膜的膜，其中，所述CH₂＝CHCOOR为丙烯酸辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、或者丙烯酸异辛酯，式中，R是碳原子数为6～10的烷基。

5.如权利要求1所述的具备切割膜和芯片焊接膜的膜，其中，所述粘合剂层在放射线照射前的23℃下的拉伸弹性率在0.4～3.5Mpa的范围内，且在放射线照射后的23℃下的拉伸弹性率在7～100Mpa的范围内。

6.如权利要求1所述的具备切割膜和芯片焊接膜的膜，其中，所述交联剂为选自异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、氮杂环丙烷类交联剂以及三聚氰胺类交联剂中的至少1种。