[发明专利]切割/芯片焊接膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种具备切割膜和芯片焊接膜的膜(ダイシング·ダイボンドフイルム)，其在切割前在工件(半导体晶片等)上付设用于粘接碎片工件(チツプ状ワ一ク)(半导体芯片等)与电极构件的胶粘剂的状态下，用于工件的切割。

背景技术

形成电路图案的半导体晶片(工件)根据需要通过背面研磨来调节厚度之后，切割成半导体芯片(碎片工件)(切割工序)。在切割工序中，为了除去切断层，通常在适度的液压(通常为约2kg/cm²)下洗涤半导体晶片。接着，用胶粘剂将所述半导体芯片粘接于引线框等被粘体上(安装工序)，然后，转移至接合工序。在上述安装工序中，在引线框和半导体芯片上涂布胶粘剂。但是，该方法中胶粘剂层的均匀化困难，另外胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，提出了一种具备切割膜和芯片焊接膜的膜，其在切割工序中胶粘保持半导体晶片的同时，也提供安装工序中所需要的芯片粘接用的胶粘剂层(例如参照专利文献1)。

专利文献1中所述的具备切割膜和芯片焊接膜的膜，是通过以能剥离的方式在支撑基材上设置胶粘剂层而形成的。即，在胶粘剂层的保持下对半导体晶片进行切割后，将支撑基材拉伸使半导体芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收，通过该胶粘剂层粘接于引线框等被粘体上。

在这种具备切割膜和芯片焊接膜的膜的胶粘剂层中，为了不产生不能切割和尺寸错误等，期待对半导体晶片的良好保持力、和能够使切割后的半导体芯片与胶粘剂层一体地从支撑基材上剥离的良好剥离性。但是，使这两个特性达到平衡绝非易事。特别是如用旋转圆刀等对半导体晶片进行切割的方式等所述，在对胶粘剂层要求大保持力的情况下，难以得到满足上述特性的具备切割膜和芯片焊接膜的膜。

为了克服上述问题，提出了各种改良方法(例如参照专利文献2)。专利文献2中提出了如下方法：在支撑基材与胶粘剂层之间隔着能进行紫外线固化的粘合剂层，将其在切割后进行紫外线固化，使粘合剂层与胶粘剂层之间的胶粘力下降，通过两者间的剥离，使半导体芯片的拾取(ピツクアツプ)变容易。

但是，在以往的具备切割膜和芯片焊接膜的膜中存在以下问题：如果将切割膜与芯片焊接膜在贴合的状态下保存规定时间，则剥离性会随时间变化而下降。特别是在室温下保存时，即使通过紫外线照射使粘合剂层进行紫外线固化，剥离性也未充分下降，由此在半导体芯片的拾取时产生拾取不良。其结果是，在将以往的具备切割膜和芯片焊接膜的膜保存规定时间的情况下，通过在低温下保存等来抑制紫外线固化后剥离性的下降。

专利文献1：日本特开昭60-57642号公报

专利文献2：日本特开平2-248064号公报

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的发明，其目的在于提供一种具备切割膜和芯片焊接膜的膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割膜和设置在该粘合剂层上的芯片焊接膜，其即使在室温下产品的保存稳定性也优异。

本发明人为了解决上述现有问题而对具备切割膜和芯片焊接膜的膜进行了研究。结果发现：通过将粘合剂层的构成材料即丙烯酸类聚合物的酸值和碘值设定为规定值，即使在室温下保存规定时间，也可以防止紫外线固化后的剥离性的下降，从而完成了本发明。

即，本发明的具备切割膜和芯片焊接膜的膜为了解决上述课题而具有如下特征，其是具备在基材上具有放射线固化型粘合剂层的切割膜和设置在该粘合剂层上的芯片焊接膜的具备切割膜和芯片焊接膜的膜，上述粘合剂层中的粘合剂含有丙烯酸类聚合物而构成，上述丙烯酸类聚合物的酸值为0.01～1，碘值在5～10的范围内。

本发明的切割膜中的粘合剂层为放射线固化型，从切割膜上剥离芯片焊接膜时，通过放射线照射来降低粘合剂层的粘合力，从而试图提高剥离性。在此，作为粘合剂层的构成成分的丙烯酸类聚合物，本发明使用具有酸值为0.01～1、碘值为5～10的物性的丙烯酸类聚合物，由此例如即使在室温下保存一定时间，也可以抑制放射线照射后的粘合剂层的剥离性下降。即，如果为上述构成的具备切割膜和芯片焊接膜的膜，则即使在室温下保存一定时间，也能抑制放射线固化后的剥离性的下降，产品的保存稳定性优异。其结果是，例如在将本发明的具备切割膜和芯片焊接膜的膜适用于半导体装置的制造方法时，减少拾取不良的产生，能够抑制成品率。

另外，上述酸值是指中和1g样品中含有的COOH基所需要的氢氧化钾的mg数。另外，上述碘值是指用如下百分率表示的值，即，使卤素作用于样品时将吸收的卤素的重量换算成碘的重量而得到的重量相对于样品的重量的百分率。