[发明专利]电介质陶瓷组合物和电子部件有效
申请号: | 200910006620.5 | 申请日: | 2009-02-05 |
公开(公告)号: | CN101691298A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
发明(设计)人: | 梅田裕二;佐佐木则夫;阿部贤 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;H01B3/12;H01G4/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 熊玉兰;李平英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电介质 陶瓷 组合 电子 部件 | ||
1.电介质陶瓷组合物,其具有用通式(Ba1-x-yCaxSry)m(Ti1-zZrz) O3表示的主成分,
包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、 Yb、Lu和Y的至少1种元素的化合物的第1副成分,
包含选自Si和Ag的至少1种元素的化合物的第2副成分,和
包含选自Fe、Co、Ni、Cu和Zn的至少1种元素的化合物的第3 副成分,
其特征在于,在上述通式中,
0.02≤x≤0.3、
0≤y≤0.05、
0.06≤z≤0.2,且
0.995≤m≤1.015,
相对于上述主成分100摩尔%,上述第1副成分以各金属元素换算 含有4摩尔%以下,但不含零,
相对于上述主成分100摩尔%,上述第2副成分以各金属元素换算 含有3摩尔%以下,但不含零,
相对于上述主成分100摩尔%,上述第3副成分以各金属元素换算 含有0.6摩尔%以下,
上述第1副成分包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、 Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的2种元素的化合物。
2.电介质陶瓷组合物,其具有用通式(Ba1-x-yCaxSry)m(Ti1-zZrz) O3表示的主成分,
包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、 Yb、Lu和Y的至少1种元素的化合物的第1副成分,和
包含选自Si和Ag的至少1种元素的化合物的第2副成分,
其特征在于,在上述通式中,
0.02≤x≤0.3、
0≤y≤0.05、
0.06≤z≤0.2、且
1.010≤m≤1.035,
相对于上述主成分100摩尔%,上述第1副成分以各金属元素换算 含有4摩尔%以下,但不含零,
相对于上述主成分100摩尔%,上述第2副成分以各金属元素换算 含有3摩尔%以下,但不含零,
上述第1副成分包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、 Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的2种元素的化合物。
3.如权利要求2所述的电介质陶瓷组合物,其特征在于,上述电介 质陶瓷组合物含有第3副成分,该第3副成分包含选自Fe、Co、Ni、 Cu和Zn的至少1种元素的化合物,该第3副成分相对于上述主成分100 摩尔%,以各金属元素换算含有0.6摩尔%以下。
4.如权利要求2所述的电介质陶瓷组合物,其中,上述主成分中含 有包含Nb、P、Fe、Al或者Si的化合物的杂质。
5.如权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物,其特征在于,上述 电介质陶瓷组合物还含有第4副成分,该第4副成分包含选自Nb、Ta、 W、Ga、Ge和Hf的至少1种的化合物,该第4副成分相对于上述主成 分100摩尔%,以各金属元素换算含有0.01摩尔%以上且1摩尔%以下。
6.电子部件,其使用了如权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910006620.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。