[发明专利]电介质陶瓷组合物和电子部件

说明书

技术领域

本发明涉及在电子部件的电介质层等中使用的电介质陶瓷组合物， 进而详细来说，涉及具有高介电常数，同时温度特性较好、介电损耗低、 且绝缘电阻和交流击穿电压高的电介质陶瓷组合物以及使用该电介质 陶瓷组合物的电子部件。

背景技术

近年来，伴随着急速进行的电子仪器的高性能化，电子电路的小型 化、复杂化也在迅猛发展。因而电子部件也被要求进一步的小型化、高 性能化。即，为了维持良好的温度特性，同时即使对于小型化也可维持 静电容量，人们要求介电常数高的电介质陶瓷组合物和电子部件，进而 为了在高电压下使用，还要求交流击穿电压高的电介质陶瓷组合物和电 子部件。

作为介电常数高、进而交流击穿电压也高的电介质陶瓷组合物，例 如在特开2006-096576号公报中得到公开。但是，在该现有例中，烧成 温度高达1400℃，另外在电极形成时使用溅射法等的薄膜形成法，因此 制备成本变高。

另一方面，在特开2003-104774号公报中同样介绍了介电常数或交 流击穿电压良好、且不使用薄膜形成法的例子，但在上述现有例中，作 为添加物，将Mn换算成MnO时含有2重量％，因此在形成价格便宜 的Cu电极时通过暴露在还原氛围中，而使电介质被还原，有可靠性变 差的担心。

发明内容

本发明是鉴于这种现状而作出的发明，其目的在于提供电介质陶瓷 组合物，其在较低的温度下可进行电介质的烧结，进而具有高介电常数， 同时温度特性好、进而介电损耗低、绝缘电阻高，且交流击穿电压高。 另外，本发明的目的还在于提供使用这种电介质陶瓷组合物得到的电子 部件。

本发明人们为了达到上述目的进行了努力研究，结果发现通过使电 介质陶瓷组合物的组成为特定的成分、并使它们的比例在规定范围，可 以实现上述目的，并完成本发明。

即，对于解决上述课题的本发明的第1观点的电介质陶瓷组合物， 其具有用通式(Ba_1-x-yCa_xSr_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的主成分，

包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、 Yb、Lu和Y的至少1种元素的化合物的第1副成分，和

包含选自Si和Ag的至少1种元素的化合物的第2副成分，

其特征在于，在上述通式中，

0.02≤x≤0.3、

0≤y≤0.05、

0.06≤z≤0.2，且

0.995≤m≤1.015，

相对于上述主成分100摩尔％，上述第1副成分以各金属元素换算 含有4摩尔％以下(但不含零)，

相对于上述主成分100摩尔％，上述第2副成分以各金属元素换算 含有3摩尔％以下(但不含零)。

对于解决上述课题的本发明的第2观点的电介质陶瓷组合物，其具 有用通式(Ba_1-x-yCa_xSr_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的主成分，

包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、 Yb、Lu和Y的至少1种元素的化合物的第1副成分，和

包含选自Si和Ag的至少1种元素的化合物的第2副成分，

其特征在于，在上述通式中，

0.02≤x≤0.3、

0≤y≤0.05、

0.06≤z≤0.2、且

1.01≤m≤1.035，

相对于上述主成分100摩尔％，上述第1副成分以各金属元素换算 含有4摩尔％以下(但不含零)，

相对于上述主成分100摩尔％，上述第2副成分以各金属元素换算 含有3摩尔％以下(但不含零)。

并且，在本发明中“化合物”主要是指氧化物，但也可以是与其它 元素的化合物，或者与其它化合物的复合化合物。

根据本发明，可以提供具有由上述电介质陶瓷组合物构成的电介质 层的电子部件。