[发明专利]堆栈式多封装构造装置、半导体封装构造及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910006762.1 申请日: 2009-02-17
公开(公告)号: CN101807559A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 朱吉植;翁承谊;廖振凯 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 堆栈 封装 构造 装置 半导体 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装构造,包含:

一基板,具有一上表面及一下表面,该下表面相对于该上表面;

一芯片,固定且电性连接于该基板的上表面;

一中介基板,固定于该芯片上,并电性连接于该基板的上表面,其中该中介基板具有一上表面及一下表面,该下表面相对于该上表面并面向该芯片,该中介基板包含数个电性接点,其位于该中介基板的上表面;以及

一封胶化合物,包覆该基板、中介基板及芯片,并裸露出该基板的下表面,其中该封胶化合物包含数个开口,每一开口包围且裸露出每一电性接点。

2.依权利要求1所述的半导体封装构造,其中该开口的深度至少为该电性接点的二分之一高度。

3.依权利要求1所述的半导体封装构造,其中该开口的深度不小于该电性接点的高度。

4.依权利要求1所述的半导体封装构造,其中该电性接点包含一接垫及一预焊剂,该预焊剂配置于该接垫上。

5.依权利要求1所述的半导体封装构造,其中该电性接点包含一接垫及一焊球,该焊球配置于该接垫上。

6.依权利要求1所述的半导体封装构造,其中该开口的口径小于或等于两相邻的该电性接点的间距。

7.依权利要求1所述的半导体封装构造,另包含:

另一半导体封装结构,配置于该封胶化合物上,并电性连接于该些电性接点。

8.依权利要求1所述的半导体封装构造,另包含:

另一芯片,固定且电性连接于该基板的下表面。

9.一种半导体封装构造制造方法,包含下列步骤:

提供一基板,其具有一上表面及一下表面,该下表面相对于该上表面;

将一芯片固定且电性连接于该基板的上表面;

将一中介基板固定于该芯片上,并电性连接于该基板的上表面,其中该中介基板具有一上表面及一下表面,该下表面相对于该上表面并面向该芯片,该中介基板包含数个电性接点,其位于该中介基板的上表面;

将一封胶化合物包覆该基板、中介基板及芯片,裸露出该基板的下表面;以及

将该封胶化合物形成有数个开口,其中每一开口包围且裸露出每一电性接点。

10.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法,其中经由一激光钻孔工艺将该封胶化合物形成有数个开口。

11.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法,其中该开口的深度至少为该电性接点的二分之一高度。

12.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法,其中该开口的深度不小于该电性接点的高度。

13.依权利要求1所述的半导体封装构造,其中该开口的口径小于或等于两相邻的该电性接点的间距。

14.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法,其中该电性接点包含一接垫及一预焊剂,该预焊剂配置于该接垫上。

15.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法,其中该电性接点包含一接垫及一焊球,该焊球配置于该接垫上。

16.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法,另包含:

配置另一半导体封装结构于该封胶化合物上,并电性连接于该些电性接点。

17.一种半导体封装构造,包含:

一基板,具有一上表面及一下表面,并包含数个电性接点,其中该下表面相对于该上表面,且该些电性接点位于该上表面;

一芯片,固定且电性连接于该基板的上表面;以及

一封胶化合物,包覆该基板及芯片,并裸露出该基板的下表面,其中该封胶化合物包含数个开口,每一开口包围且裸露出每一电性接点。

18.依权利要求17所述的半导体封装构造,其中该开口的深度至少为该电性接点的二分之一高度。

19.依权利要求17所述的半导体封装构造,其中该开口的深度不小于该电性接点的高度。

20.依权利要求17所述的半导体封装构造,其中该电性接点包含一接垫及一预焊剂,该预焊剂配置于该接垫上。

21.依权利要求17所述的半导体封装构造,其中该电性接点包含一接垫及一焊球,该焊球配置于该接垫上。

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