[发明专利]堆栈式多封装构造装置、半导体封装构造及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装构造，包含：

一基板，具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面；

一芯片，固定且电性连接于该基板的上表面；

一中介基板，固定于该芯片上，并电性连接于该基板的上表面，其中该中介基板具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面并面向该芯片，该中介基板包含数个电性接点，其位于该中介基板的上表面；以及

一封胶化合物，包覆该基板、中介基板及芯片，并裸露出该基板的下表面，其中该封胶化合物包含数个开口，每一开口包围且裸露出每一电性接点。

2.依权利要求1所述的半导体封装构造，其中该开口的深度至少为该电性接点的二分之一高度。

3.依权利要求1所述的半导体封装构造，其中该开口的深度不小于该电性接点的高度。

4.依权利要求1所述的半导体封装构造，其中该电性接点包含一接垫及一预焊剂，该预焊剂配置于该接垫上。

5.依权利要求1所述的半导体封装构造，其中该电性接点包含一接垫及一焊球，该焊球配置于该接垫上。

6.依权利要求1所述的半导体封装构造，其中该开口的口径小于或等于两相邻的该电性接点的间距。

7.依权利要求1所述的半导体封装构造，另包含：

另一半导体封装结构，配置于该封胶化合物上，并电性连接于该些电性接点。

8.依权利要求1所述的半导体封装构造，另包含：

另一芯片，固定且电性连接于该基板的下表面。

9.一种半导体封装构造制造方法，包含下列步骤：

提供一基板，其具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面；

将一芯片固定且电性连接于该基板的上表面；

将一中介基板固定于该芯片上，并电性连接于该基板的上表面，其中该中介基板具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面并面向该芯片，该中介基板包含数个电性接点，其位于该中介基板的上表面；

将一封胶化合物包覆该基板、中介基板及芯片，裸露出该基板的下表面；以及

将该封胶化合物形成有数个开口，其中每一开口包围且裸露出每一电性接点。

10.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法，其中经由一激光钻孔工艺将该封胶化合物形成有数个开口。

11.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法，其中该开口的深度至少为该电性接点的二分之一高度。

12.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法，其中该开口的深度不小于该电性接点的高度。

13.依权利要求1所述的半导体封装构造，其中该开口的口径小于或等于两相邻的该电性接点的间距。

14.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法，其中该电性接点包含一接垫及一预焊剂，该预焊剂配置于该接垫上。

15.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法，其中该电性接点包含一接垫及一焊球，该焊球配置于该接垫上。

16.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法，另包含：

配置另一半导体封装结构于该封胶化合物上，并电性连接于该些电性接点。

17.一种半导体封装构造，包含：

一基板，具有一上表面及一下表面，并包含数个电性接点，其中该下表面相对于该上表面，且该些电性接点位于该上表面；

一芯片，固定且电性连接于该基板的上表面；以及

一封胶化合物，包覆该基板及芯片，并裸露出该基板的下表面，其中该封胶化合物包含数个开口，每一开口包围且裸露出每一电性接点。

18.依权利要求17所述的半导体封装构造，其中该开口的深度至少为该电性接点的二分之一高度。

19.依权利要求17所述的半导体封装构造，其中该开口的深度不小于该电性接点的高度。

20.依权利要求17所述的半导体封装构造，其中该电性接点包含一接垫及一预焊剂，该预焊剂配置于该接垫上。

21.依权利要求17所述的半导体封装构造，其中该电性接点包含一接垫及一焊球，该焊球配置于该接垫上。