[发明专利]堆栈式多封装构造装置、半导体封装构造及其制造方法无效
申请号: | 200910006762.1 | 申请日: | 2009-02-17 |
公开(公告)号: | CN101807559A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 朱吉植;翁承谊;廖振凯 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆栈 封装 构造 装置 半导体 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装构造,包含:
一基板,具有一上表面及一下表面,该下表面相对于该上表面;
一芯片,固定且电性连接于该基板的上表面;
一中介基板,固定于该芯片上,并电性连接于该基板的上表面,其中该中介基板具有一上表面及一下表面,该下表面相对于该上表面并面向该芯片,该中介基板包含数个电性接点,其位于该中介基板的上表面;以及
一封胶化合物,包覆该基板、中介基板及芯片,并裸露出该基板的下表面,其中该封胶化合物包含数个开口,每一开口包围且裸露出每一电性接点。
2.依权利要求1所述的半导体封装构造,其中该开口的深度至少为该电性接点的二分之一高度。
3.依权利要求1所述的半导体封装构造,其中该开口的深度不小于该电性接点的高度。
4.依权利要求1所述的半导体封装构造,其中该电性接点包含一接垫及一预焊剂,该预焊剂配置于该接垫上。
5.依权利要求1所述的半导体封装构造,其中该电性接点包含一接垫及一焊球,该焊球配置于该接垫上。
6.依权利要求1所述的半导体封装构造,其中该开口的口径小于或等于两相邻的该电性接点的间距。
7.依权利要求1所述的半导体封装构造,另包含:
另一半导体封装结构,配置于该封胶化合物上,并电性连接于该些电性接点。
8.依权利要求1所述的半导体封装构造,另包含:
另一芯片,固定且电性连接于该基板的下表面。
9.一种半导体封装构造制造方法,包含下列步骤:
提供一基板,其具有一上表面及一下表面,该下表面相对于该上表面;
将一芯片固定且电性连接于该基板的上表面;
将一中介基板固定于该芯片上,并电性连接于该基板的上表面,其中该中介基板具有一上表面及一下表面,该下表面相对于该上表面并面向该芯片,该中介基板包含数个电性接点,其位于该中介基板的上表面;
将一封胶化合物包覆该基板、中介基板及芯片,裸露出该基板的下表面;以及
将该封胶化合物形成有数个开口,其中每一开口包围且裸露出每一电性接点。
10.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法,其中经由一激光钻孔工艺将该封胶化合物形成有数个开口。
11.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法,其中该开口的深度至少为该电性接点的二分之一高度。
12.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法,其中该开口的深度不小于该电性接点的高度。
13.依权利要求1所述的半导体封装构造,其中该开口的口径小于或等于两相邻的该电性接点的间距。
14.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法,其中该电性接点包含一接垫及一预焊剂,该预焊剂配置于该接垫上。
15.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法,其中该电性接点包含一接垫及一焊球,该焊球配置于该接垫上。
16.依权利要求9所述的半导体封装构造制造方法,另包含:
配置另一半导体封装结构于该封胶化合物上,并电性连接于该些电性接点。
17.一种半导体封装构造,包含:
一基板,具有一上表面及一下表面,并包含数个电性接点,其中该下表面相对于该上表面,且该些电性接点位于该上表面;
一芯片,固定且电性连接于该基板的上表面;以及
一封胶化合物,包覆该基板及芯片,并裸露出该基板的下表面,其中该封胶化合物包含数个开口,每一开口包围且裸露出每一电性接点。
18.依权利要求17所述的半导体封装构造,其中该开口的深度至少为该电性接点的二分之一高度。
19.依权利要求17所述的半导体封装构造,其中该开口的深度不小于该电性接点的高度。
20.依权利要求17所述的半导体封装构造,其中该电性接点包含一接垫及一预焊剂,该预焊剂配置于该接垫上。
21.依权利要求17所述的半导体封装构造,其中该电性接点包含一接垫及一焊球,该焊球配置于该接垫上。
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