[发明专利]图案化磁记录介质的制造方法

权利要求书

1.一种图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于包括以下工序：

(1)在按顺序包含基板、磁性层和第1保护层的层叠体上，涂覆抗蚀剂，形成抗蚀剂覆膜；

(2)将抗蚀剂覆膜图案化，形成刻蚀图案；

(3)沿着刻蚀图案，刻蚀磁性层和第1保护层、进行图案化；

(4)对抗蚀剂覆膜照射受激准分子VUV激光；以及

(5)使用抗蚀剂剥离剂溶液清洗去除抗蚀剂覆膜。

2.根据权利要求1所述的图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于，

上述受激准分子VUV激光器是发出172nm±15nm的波长的VUV光束的氙受激准分子VUV激光器。

3.根据权利要求1所述的图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于，

上述抗蚀剂剥离剂溶液的主要成分为二甲基甲酰胺、即DMF。

4.根据权利要求1所述的图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于，

上述工序(2)是按压具有所希望的图案的模具，使抗蚀剂覆膜固化。

5.根据权利要求1所述的图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于还包括以下工序：

(6)在图案化的磁性层上形成第2保护层。

6.一种图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于包括以下工序：

(1′)在按顺序包含基板和磁性层的层叠体上，涂覆抗蚀剂形成抗蚀剂覆膜；

(2′)将抗蚀剂覆膜图案化，形成刻蚀图案；

(3′)沿着刻蚀图案，刻蚀磁性层、进行图案化；

(4′)对抗蚀剂覆膜照射受激准分子VUV激光；

(5′)使用抗蚀剂剥离剂溶液来清洗去除抗蚀剂覆膜；以及

(6′)在图案化的磁性层上形成保护层。

7.根据权利要求6所述的图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于，

上述受激准分子VUV激光器是发出172nm±15nm的波长的VUV光线的氙受激准分子VUV激光器。

8.根据权利要求6所述的图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于，

上述抗蚀剂剥离剂溶液的主要成分为二甲基甲酰胺、即DMF。

9.根据权利要求6所述的图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于，

在上述工序(2′)中，按压具有所希望的图案的模具，并使抗蚀剂覆膜固化。