[发明专利]图案化磁记录介质的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及图案化磁记录介质的制造方法，更详细而言，涉及对在将磁性层加工成轨迹状和/或点状图案时所使用的抗蚀剂的剥离方法的改进。

背景技术

作为下一代的磁记录介质，期待一种将磁性层加工成轨迹状和/或点状的图案、并在图案化的磁性层上分别划定信息记录区域的图案化磁记录介质。

这些图案化的磁记录介质，如日本特开2003-203301号公报和日本特开2003-123201号公报所公开的那样，在划定了的信息记录区域中除了记录有通常的信息外，还能记录记录介质的固有信息，例如信息的管理者信息、操作信息等。因此，可以利用该图案化的磁记录介质实现防止信息泄漏、操作速度的迅速化等(专利文献1和2)。

在磁性层的图案化方面，可以采用在以往的电子器件领域等中所采用的利用图案化的抗蚀剂来刻蚀磁性层的方法。但是，为了剥离刻蚀后的磁性层上的抗蚀剂，不能单独采用日本特开昭64-081949号公报等所公开的在电子器件领域等中所采用的利用剥离剂溶液或干法刻蚀来剥离抗蚀剂(专利文献3)。

作为解决该问题的手段，在日本特开2007-200422公报中提出了包括以下工序的图案化磁记录介质的制造方法：利用压印法(imprint)在磁性层上形成抗蚀剂覆膜的图案的工序，上述抗蚀剂覆膜是通过照射电磁波或电子束进行分解并低分子化的抗蚀剂覆膜；以上述抗蚀剂覆膜图案为掩模通过刻蚀磁性层而将图案转印到磁性层上的工序；以及向抗蚀剂覆膜上照射电磁波或电子束，将上述抗蚀剂覆膜从磁性层剥离的工序(专利文献4)。

专利文献1：日本特开2003-203301号公报

专利文献2：日本特开2003-123201号公报

专利文献3：日本特开昭64-081949号公报

专利文献4：日本特开2007-200422号公报

电子器件领域等中，在形成电子材料的图案之后使用为了剥离刻蚀抗蚀剂覆膜所采用的剥离剂溶液，来剥离图案化的磁性层上的抗蚀剂覆膜的情况下，蓄积在剥离剂溶液中的剥离的抗蚀剂残渣、灰尘等可能会引起图案化的磁性层的再次污染。

另一方面，在通过使用O₂、SF₆、CF₄等刻蚀气体的干法刻蚀来剥离刻蚀抗蚀剂覆膜的情况下，由于所使用的刻蚀气体、等离子体的影响，有磁性层所包含的磁性体发生变质、磁性层的磁特性发生变化的可能性。根据情况，磁性层的磁特性有可能降低。

日本特开2007-200422号公报中提出的抗蚀剂覆膜的剥离方法在可使用的抗蚀剂材料上有限制。另外，为了彻底剥离通过照射电磁波或电子束而低分子化了的抗蚀剂，需要加热处理。加热处理也可能导致磁性层的变质、磁特性的变化(降低)。

另外，在抗蚀剂覆膜残留在磁性层上而不是彻底剥离磁性层上的抗蚀剂覆膜的情况下，磁头很难稳定地浮起。其结果是，不能稳定地检侧磁记录介质的磁信号。根据情况，磁头本身可能因撞上残留的抗蚀剂而被破坏。

发明内容

本发明目的在于提供一种图案化磁记录介质的制造方法，包括彻底地剥离抗蚀剂覆膜而不使磁性层的磁特性劣化的工序，该抗蚀剂覆膜是为了刻蚀磁性层而使用的，且在磁性层上。

本发明的发明人为了实现上述目的进行了专心研究，结果发现通过使用包括以下工序的方法，能够不损坏磁性层地从磁性层上彻底去除抗蚀剂，并且能够防止剥离剂溶液中杂质的蓄积、以及由杂质引起的磁性层的再次污染，并完成了本发明：在减压下对磁性层上的抗蚀剂覆膜照射受激准分子VUV激光来剥离大部分的抗蚀剂覆膜的工序；然后，使用主成分为二甲基甲酰胺(DMF)的抗蚀剂剥离溶液来清洗并去除残留在磁性层上的抗蚀剂覆膜的工序。

本发明的图案化磁记录介质的制造方法的特征在于，包括：

(1)在按照基板、磁性层和第1保护层的顺序包含这些层的层叠体上，涂覆抗蚀剂形成抗蚀剂覆膜的工序；

(2)将抗蚀剂覆膜图案化，形成刻蚀图案的工序；

(3)沿着刻蚀图案，刻蚀磁性层和第1保护层、进行图案化的工序；

(4)对抗蚀剂覆膜照射受激准分子VUV激光的工序；以及

(5)使用抗蚀剂剥离剂溶液清洗去除抗蚀剂覆膜的工序。

本发明还包括下述方式，即，接着上述工序(5)还具有(6)在图案化了的磁性层上形成第2保护层的工序。

另外，本发明的图案化磁记录介质的制造方法还包括下述方式，其特征在于，包括：