[发明专利]一种高电压电流金属氧化物半导体电路结构

权利要求书

1.一种高电压高电流金属氧化物半导体电路结构，包括：

一深-N井；

一P井位于该深-N井之内；

多个掺杂区，位于该深-N井与该P井之内，还包括，n+掺杂区以及P+掺杂区；

多个场效氧化区；

一基体，连接至一该掺杂区；

一源极，连接至一该掺杂区；

一漏极，连接至一该掺杂区；及

一栅极，位于该源极与该漏极之间；

其中，该半导体结构的上视图中的所有区域，包括该深-N井、该P井、该场效氧化区、该n+掺杂区与该p+掺杂区，不限定于任何特定形状，但呈现相互包围环绕的向外辐射的状态，且与该基体连接的该掺杂区是为与该源极连接的该掺杂区所环绕，再依序由内向外分别被，与该栅极连接的该掺杂区、该场效氧化区、与该漏极连接的该掺杂区所包围，因此上视图呈现一环环围绕的重叠区域，并且使得电流能从源极以向外辐射方式流向漏极。

2.如权利要求1所述的一种高电压高电流金属氧化物半导体电路结构，其中当该金属氧化物半导体为PMOS时，该基体连接于一n+掺杂区，该源极连接于一p+掺杂区，而该漏极连接于一p+掺杂区，而且，与该基体连接的n+掺杂区位于该深-N井内，与该源极连接的p+掺杂区位于该深-N井内，而与该漏极连接的p+掺杂区位于该P井内。

3.如权利要求1述的一种高电压高电流金属氧化物半导体电路结构，其中当该金属氧化物半导体为NMOS时，该基体连接于一p+掺杂区，该源极连接于一n+掺杂区，而该漏极连接于一n+掺杂区，而且，与该基体连接的p+掺杂区位于该P井内，与该源极连接的n+掺杂区位于该P井内，而与该栅极连接的n+掺杂区位于该深-N井内。

4.如权利要求1所述的一种高电压高电流金属氧化物半导体电路结构，其中该深-N井、该P井、该场效氧化区、该n+掺杂区以及该p+掺杂区的区域的形状相同。

5.如权利要求4所述的一种高电压高电流金属氧化物半导体电路结构，其中该形状为只具有钝角的多边形、具有适当曲率的曲线区，或以上的任意组合。

6.如权利要求1所述的一种高电压高电流金属氧化物半导体电路结构，其中该深-N井、该P井、该场效氧化区、该n+掺杂区以及该p+掺杂区的区域的形状不同。

7.如权利要求6所述的一种高电压高电流金属氧化物半导体电路结构，其中其中该多个不同形状为只具有钝角的多边形、具有适当曲率得曲线区，或以上的任意组合。

8.一种高电压高电流金属氧化物半导体电路结构，包括：一基体区域、一源极区域、一栅极区域、以及一漏极区域；

其中，该半导体结构的上视图中的该基体区域位于中心，再依序由内向外分别被，该源极区域、该栅极区域、与该漏极区域所包围，因此上视图呈现一环环围绕的重叠区域。