[发明专利]半导体装置封装和制造半导体装置封装的方法有效
申请号: | 200910007040.8 | 申请日: | 2009-02-01 |
公开(公告)号: | CN101546718A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | C·K·陈;B·H·古 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/498 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 柯广华;李家麟 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体装置的方法,包括:
提供引线框材料片;
蚀刻所述引线框材料片以在所述引线框材料片的第一表面上 形成凹口;
将半导体芯片放置在所述引线框材料片的所述凹口中;以及
选择性地蚀刻所述引线框材料片的第二表面,所述第二表面与 所述第一表面相对,而且,通过选择地蚀刻所述引线框材料片的第二 表面的蚀刻过程,只有管芯接合带的底部表面的某些部分被暴露,管 芯接合带的其他部分则被引线覆盖。
2.如权利要求1所述的方法,包括,其中所述凹口通过选择性地 蚀刻所述引线框材料片的所述第一表面而形成。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述方法还包括将所述半导体 芯片放置在所述凹口中之前,将接合材料添加到所述半导体芯片上。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述方法还包括在将所述半 导体芯片放置在所述凹口中之后,在所述半导体芯片和所述引线框材 料片之间附连多个线。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述方法还包括在选择性地 蚀刻所述第二表面之前,以模塑料覆盖所述半导体芯片。
6.如权利要求1所述的方法,包括,其中选择性地蚀刻所述第 二表面直到所述引线框材料片被分割。
7.如权利要求6所述的方法,包括分割所述引线框材料片以形 成电连接元件。
8.如权利要求6所述的方法,其中所述方法还包括镀所分割的 引线框材料片的部分。
9.如权利要求1所述的方法,包括,其中所述引线框材料片包 括金属衬底。
10.一种制造电子装置的方法,包括:
提供载体片;
对所述载体片进行去除处理以形成所述载体片的第一表面上的 凹口;
将电子组件放置在所述载体片的所述凹口中;以及之后,
选择性地去除所述载体片的第二表面的至少一部分,所述第二表 面与所述第一表面相对,而且,通过选择地去除所述载体片的第二表 面的至少一部分的去除过程,只有管芯接合带的底部表面的某些部分 被暴露,管芯接合带的其他部分则被引线覆盖。
11.如权利要求10所述的方法,包括,其中所述载体片采用具 有连续表面区域的引线框材料片的形式。
12.如权利要求10所述的方法,包括,其中所述电子组件采用 半导体芯片的形式。
13.如权利要求10所述的方法,其中所述方法还包括在选择性 地去除所述第二表面之前,以密封料覆盖所述电子组件。
14.一种半导体装置,包括:
多个引线,所述引线的至少一个包括该引线的表面上的凹部;以 及
在所述凹部中提供的半导体芯片,
其中,通过选择性地蚀刻与所述表面相对的该引线的表面的蚀刻 过程,只有管芯接合带的底部表面的某些部分被暴露,管芯接合带的 其他部分则被引线覆盖。
15.如权利要求14所述的半导体装置,其中所述半导体装置还 包括放置在所述半导体芯片和所述凹部之间的接合材料层。
16.如权利要求15所述的半导体装置,其中所述接合材料层包 括电绝缘和热传导材料。
17.如权利要求14所述的半导体装置,其中所述半导体装置还 包括附连在所述半导体芯片和所述引线之间的多个线。
18.如权利要求14所述的半导体装置,其中所述半导体装置还 包括覆盖所述半导体芯片和所述引线至少一部分的模塑料。
19.如权利要求14所述的半导体装置,包括,其中所述引线的 至少一个从所述模塑料突出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造