[发明专利]半导体装置封装和制造半导体装置封装的方法有效

专利信息
申请号: 200910007040.8 申请日: 2009-02-01
公开(公告)号: CN101546718A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: C·K·陈;B·H·古 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/58 分类号: H01L21/58;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/498
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 柯广华;李家麟
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 封装 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造半导体装置的方法,包括:

提供引线框材料片;

蚀刻所述引线框材料片以在所述引线框材料片的第一表面上 形成凹口;

将半导体芯片放置在所述引线框材料片的所述凹口中;以及

选择性地蚀刻所述引线框材料片的第二表面,所述第二表面与 所述第一表面相对,而且,通过选择地蚀刻所述引线框材料片的第二 表面的蚀刻过程,只有管芯接合带的底部表面的某些部分被暴露,管 芯接合带的其他部分则被引线覆盖。

2.如权利要求1所述的方法,包括,其中所述凹口通过选择性地 蚀刻所述引线框材料片的所述第一表面而形成。

3.如权利要求1所述的方法,其中所述方法还包括将所述半导体 芯片放置在所述凹口中之前,将接合材料添加到所述半导体芯片上。

4.如权利要求1所述的方法,其中所述方法还包括在将所述半 导体芯片放置在所述凹口中之后,在所述半导体芯片和所述引线框材 料片之间附连多个线。

5.如权利要求1所述的方法,其中所述方法还包括在选择性地 蚀刻所述第二表面之前,以模塑料覆盖所述半导体芯片。

6.如权利要求1所述的方法,包括,其中选择性地蚀刻所述第 二表面直到所述引线框材料片被分割。

7.如权利要求6所述的方法,包括分割所述引线框材料片以形 成电连接元件。

8.如权利要求6所述的方法,其中所述方法还包括镀所分割的 引线框材料片的部分。

9.如权利要求1所述的方法,包括,其中所述引线框材料片包 括金属衬底。

10.一种制造电子装置的方法,包括:

提供载体片;

对所述载体片进行去除处理以形成所述载体片的第一表面上的 凹口;

将电子组件放置在所述载体片的所述凹口中;以及之后,

选择性地去除所述载体片的第二表面的至少一部分,所述第二表 面与所述第一表面相对,而且,通过选择地去除所述载体片的第二表 面的至少一部分的去除过程,只有管芯接合带的底部表面的某些部分 被暴露,管芯接合带的其他部分则被引线覆盖。

11.如权利要求10所述的方法,包括,其中所述载体片采用具 有连续表面区域的引线框材料片的形式。

12.如权利要求10所述的方法,包括,其中所述电子组件采用 半导体芯片的形式。

13.如权利要求10所述的方法,其中所述方法还包括在选择性 地去除所述第二表面之前,以密封料覆盖所述电子组件。

14.一种半导体装置,包括:

多个引线,所述引线的至少一个包括该引线的表面上的凹部;以 及

在所述凹部中提供的半导体芯片,

其中,通过选择性地蚀刻与所述表面相对的该引线的表面的蚀刻 过程,只有管芯接合带的底部表面的某些部分被暴露,管芯接合带的 其他部分则被引线覆盖。

15.如权利要求14所述的半导体装置,其中所述半导体装置还 包括放置在所述半导体芯片和所述凹部之间的接合材料层。

16.如权利要求15所述的半导体装置,其中所述接合材料层包 括电绝缘和热传导材料。

17.如权利要求14所述的半导体装置,其中所述半导体装置还 包括附连在所述半导体芯片和所述引线之间的多个线。

18.如权利要求14所述的半导体装置,其中所述半导体装置还 包括覆盖所述半导体芯片和所述引线至少一部分的模塑料。

19.如权利要求14所述的半导体装置,包括,其中所述引线的 至少一个从所述模塑料突出。

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