[发明专利]半导体装置封装和制造半导体装置封装的方法有效
申请号: | 200910007040.8 | 申请日: | 2009-02-01 |
公开(公告)号: | CN101546718A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | C·K·陈;B·H·古 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/498 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 柯广华;李家麟 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 制造 方法 | ||
技术领域
本申请涉及半导体封装,在我们的实施例中是引线上芯片(COL) 封装。它还涉及制造半导体封装的方法。
背景技术
常规封装的半导体装置通过使用例如银膏的粘合剂将半导体元 件接合到引线框的管芯垫而产生。引线框由接合线连接到半导体元 件。半导体装置除外部引线以外的整体被封住。外部引线用于外部连 接。
近年来对封装半导体装置的更高密度、更小面积和厚度的要求导 致具有不同结构的新型封装的开发。新型封装能用于要求小尺寸、轻 重量以及出色热和电性能的手持便携式电子装置
新型封装的示例是COL(引线上芯片)封装,它包括直接安装在 引线框上的管芯。COL也被称为LOC(芯片上引线)。
出于这些和其它原因,存在对于本发明的需要。
发明内容
根据本发明的第一方面在于一种制造半导体装置的方法,包括: 提供引线框材料片;蚀刻所述引线框材料片以在所述引线框材料片的 第一表面上形成凹口;将半导体芯片放置在所述引线框材料片的所述 凹口中;以及选择性地蚀刻所述引线框材料片的第二表面,所述第二 表面与所述第一表面相对。
根据本发明的第二方面在于一种制造电子装置的方法,包括:提 供载体片;对所述载体片进行去除处理以形成所述载体片的第一表面 上的凹口;将电子组件放置在所述载体片的所述凹口中;以及之后, 选择性地去除所述载体片的第二表面的至少一部分,所述第二表面与 所述第一表面相对。
根据本发明的第三方面在于一种半导体装置,包括:多个引线, 所述引线的至少一个包括该引线的表面上的凹部;以及在所述凹部中 提供的半导体芯片。
根据本发明的第四方面在于一种电子装置,包括:多个电连接元 件,所述电连接元件的至少一个包括在所述电连接元件的表面上的凹 部;以及在所述凹部中提供的电子组件。
根据本发明的第五方面在于一种电子装置,包括:具有凹部的引 线,所述凹部配置成支撑半导体芯片。
附图说明
包括附图以提供对本发明更进一步的理解,并且附图结合于本说 明书并构成本说明书的一部分。附图示出本发明的实施例并且结合描 述用于解释本发明原理。本发明的其它实施例和本发明的许多预期优 点将轻易地被理解,因为通过参考下面的详细描述它们变得更好理 解。附图中的元件不一定是彼此成比例的。类似的参考标号指明对应 的类似部件。
图1示出包括第一密封COL封装的截面图的半导体封装的一个 实施例。
图2示出用于制造图1的封装的引线框材料。
图3示出带有管芯的图2的引线框材料。
图4示出具有蚀刻的底部表面的图3的引线框材料。
图5示出第二密封COL封装的截面图。
图6示出第三密封COL封装的截面前视图。
图7示出从顶部视角的COL封装的暴露的透视图。
图8示出从底部视角的第三COL封装的透视图。
图9示出从顶部视角的第三COL封装的透视图。
图10示出用于制造图8的第三COL封装的制造过程的流程图。
图11示出其顶部表面上具有凹进(indentations)的引线框材料。
图12示出顶部表面上具有凹口的图11的引线框材料。
图13示出图12的引线框材料上提供的管芯。
图14示出连接到图13的管芯的多个接合线。
图15示出以模塑料(molding compound)密封的图14的引线框 材料。
图16示出提供有掩模的图15的引线框材料的底部表面。
图17示出镀在图16的引线框材料的底部表面上的导电材料层。
图18示出不带掩模的图16的引线框材料的底部表面。
图19示出具有蚀刻的底部表面的图18的引线框材料。
图20示出分离的图19的引线框材料。
图21示出分离的引线框材料。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910007040.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发动机局部增氧系统
- 下一篇:一种活塞气体密封装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造