[发明专利]闪速存储器装置有效
申请号: | 200910007531.2 | 申请日: | 2009-02-11 |
公开(公告)号: | CN101510440A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 金泓秀;申花炅;金珉澈 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/08;H01L27/115 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏;陆锦华 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 | ||
1.一种闪速存储器装置,包括:
存储单元阵列,包括多个存储块,所述存储块的每个具有设置在 字线和位线的交叉处的存储单元,彼此紧邻的所述多个存储块中的存 储块包括存储块对;和
行选择电路,被配置为响应于与存储地址相关联的存储操作来驱 动所述字线,其中,所述行选择电路包括位于每对存储块中所包括的 存储块之间的相应屏蔽线,并且所述存储块对中的每个存储块在其间 具有公共源线,其中,所述行选择电路包括:
开关单元,连接到对应的存储块,所述开关单元进行切换以将对 应的电压施加到对应的字线,
其中,所述屏蔽线的每个位于所述存储块对中所包括的紧邻的开 关单元之间。
2.如权利要求1所述的闪速存储器装置,其中,所述行选择电路 包括:
解码器电路,被配置为通过对应的电压来驱动所述字线。
3.如权利要求2所述的闪速存储器装置,其中,所述屏蔽线连接 到接地电压。
4.如权利要求2所述的闪速存储器装置,其中,
所述存储块对的字线分别延伸到对应的开关单元;以及
延伸到所述开关单元的存储块的字线被布置成分别对应成对地相 互面对,其中,所述屏蔽线位于其间。
5.如权利要求2所述的闪速存储器装置,其中,所述解码器电路 通过对应的电压来驱动被选择的存储块的字线。
6.如权利要求2所述的闪速存储器装置,其中,所述屏蔽线从紧 邻的开关单元之间延伸到与所述开关单元对应的紧邻的解码器之间, 所述开关单元对应于所述存储块对。
7.如权利要求1所述的闪速存储器装置,其中,所述行选择电路 被配置为将未被选择的存储块的每个字线保持在浮动状态。
8.如权利要求1所述的闪速存储器装置,其中,所述屏蔽线包括 导电材料。
9.如权利要求1所述的闪速存储器装置,其中,所述屏蔽线和所 述字线包括共用材料。
10.如权利要求1所述的闪速存储器装置,其中,所述屏蔽线和所 述存储单元的栅极包括共用材料。
11.如权利要求1所述的闪速存储器装置,其中,所述屏蔽线和所 述公共源线包括共用材料。
12.如权利要求1所述的闪速存储器装置,其中:
所述屏蔽线被布置在具有所述开关单元的半导体衬底上的装置隔 离层上;
所述存储块对的字线延伸到各个对应的开关单元的所述装置隔离 层;以及
所述延伸的存储块对的字线分别对应成对地相互面对,其中所述 屏蔽线位于其间。
13.如权利要求1所述的闪速存储器装置,其中,所述屏蔽线与所 述字线形成在同一层上。
14.如权利要求1所述的闪速存储器装置,其中,所述屏蔽线和所 述字线同时形成。
15.如权利要求1所述的闪速存储器装置,其中,所述屏蔽线与所 述公共源线形成在同一层上。
16.如权利要求1所述的闪速存储器装置,其中,所述屏蔽线与所 述公共源线同时形成。
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